研究生: |
曾一民 |
---|---|
論文名稱: |
複層保護膜對有機電致發光元件壽命之影響 |
指導教授: | 周卓煇 |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
工學院 - 材料科學工程學系 Materials Science and Engineering |
論文出版年: | 2004 |
畢業學年度: | 92 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 85 |
中文關鍵詞: | 有機電致發光元件 、三層保護膜 、壽命 |
相關次數: | 點閱:53 下載:0 |
分享至: |
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
本論文,採用金屬氧化物和金屬材料作為保護膜,並提出一種新型三層式保護膜結構,以真空蒸鍍法,在發光元件上鍍覆金屬氧化物和金屬薄膜,利用其緻密且穩定之性質,有效隔絕大氣中水氣與氧氣對元件的攻擊,提高元件壽命;探討不同保護膜結構與厚度,對有機電致發光元件壽命之影響,並尋求最佳保護膜結構,以進一步提升元件發光壽命。
本研究中,所使用的保護膜材料,分別為:CaO、BaO與Al。依不同保護膜結構及厚度,分別探討對元件發光壽命之影響。
1. 單層保護膜
研究結果顯示,當使用單層保護膜結構時,元件覆蓋上BaO保護膜3000Å,元件壽命由未覆蓋保護膜的4分鐘,增加5.2倍至21分鐘;覆蓋CaO保護膜1000Å的元件,壽命為14分鐘,增加至3.5倍。
2. 雙層保護膜
當元件使用雙層保護膜結構時,以BaO(3000Å)╱Al(1000Å)作為元件保護膜,元件發光壽命可達44分鐘,相對於未保護之元件,壽命提升至11倍;保護膜結構為CaO(1000Å)╱Al(1000Å)時,壽命為15分鐘,與覆蓋單層CaO(1000Å)保護膜之元件比較,其壽命增加效果並不顯著。
3. 三層保護膜
當元件使用三層式保護膜結構時,以BaO(3000Å)/Al(1000Å) / BaO(3000Å)作為元件保護膜,元件發光壽命為81分鐘,相對於未保護之元件,壽命提升達20倍;使用BaO(3000Å)/Al(1000Å) / CaO (4000Å)作為元件保護膜時,元件發光壽命為86分鐘,提升達21.5倍的效果。
研究結果顯示,使用Al薄膜做為元件外部保護層時,其緻密、穩定之特性,可以使元件發光壽命有效提升;以金屬氧化物及金屬作為元件保護膜材料時,經過適當之搭配,形成三層保護膜結構,能夠更有效防止水氣與氧氣對元件造成的損壞,其元件發光壽命,皆較單層及雙層結構有所提升。
陸、參考資料
1. S. A. VanSlyke, C. W. Tang, L. C. Robert, U. S. Pat. 1988, No. 4, 720, 432. .
2. J. Dresner, RCA Rev. 1969, 30, 322.
3. P. E. Burrows, V. Bulovic, S. R. Forrest, S. Sapochak, D. M. Mccarty, M. E. Thompson, Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 2922.
4. H. Aziz, Z. Popovic, S. Xie, A. M. Hor, N. Hu, C. Tripp, G. Xu, Appl. Phys. Lette. 1998, 72, 756.
5. C. W. Tang, S. A. VanSlyke, C. H. Chen, J. Appl. Phys. 1989, 65, 3610.
6. H. Tokailin, M. Matsuura, H. Higashi, C. Hosokawa, T. Kusumoto, Proc. SPIE 1993, 391, 1910.
7. Y. Hamada, C. Adachi, T. Tsutsui, S. Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, 1812.
8. A. Bohler, S. Dirr, H. H. Johannes, D. Ammermann, W. Kowalsky, Synth. Metals 1997, 91, 95.
9. S. Kho, D. Cho and D. Jung, Jpn J. Appl. Phys. 2002, 41, 1336–L 1338.
10. J. H. Lee, G. H. Kim, S. H. Kim, S. C. Lim, Y. S. Yang, J. H. Youk, J. Jang, T. Zyung, Synth. Metals 2004, 143, 21.
11. S. H. Kwon, S. Y. Paik, O. J. Kwon and J. S. Yoo, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 4450.
12. D. F. Williams, and M. Schadt, Proc. IEEE 1970, 58, 476.
13. W. Helfrich, and W. G. Schnider, J. Chem. Phys. 1966, 44, 2902-2909
14. J. Dresner, RCA Rev. 1969, 30, 322.
15. W. Helfrich, W. G. Schneider, Phys. Rev. Lett. 1965, 14, 229.
16. W. Helfrich, W. G. Schneider, J. Chem. Phys. 1966, 44, 2902.
17. S. A. VanSlyke, C. W. Tang, and L. C. Robert, US. Pat. No. 1988, 4,720, 432.
18. M. Era, C. Adachi, T. Tsutsui, S. Saito, Chem. Phys. Lett. 1991, 178, 488.
19. J. H. Burroughs, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burn and A. B. Holmes, Nature 1990, 347, 539.
20. T. Wakimoto, Y. Fukuda, K. Nagayama, A. Yokoi, H. Nakada, and M. Tsuchida, IEEE Trans. Electron Devices 1997, 44, 1245.
21. J. Shi and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1665.
22. J. Kido, and T. Mizukami, US. Pat. No. 2000, 6, 013, 384.
23. N. C. Greenham, R. H. Friend, A. R. Brown, D. D. C. Bradley, K. Pichler, P. L. Burns, A. Kraft, and A. B. Holmes, Proc. SPIE 1994, 1910, 84.
24. G. E. Jabbour, B. Kippelen, N. R. Armstrong, and N. Peyghambarian, Appl. Phy. Lett. 1998, 73, 1185.
25. Wu, C. C. Electronics Spectrum 1998, 4, 4.
26. S. Miyata, H. S. Nalwa, Organic Electroluminescent Materials and Devices, Gordon and Breach Science Publishers 1997, Chap 1.
27. K. Sugiyama, D. Yoshimura, T. Miyamae, T. Miyazaki, H. Ishii, Y. Ouchi, K. Seki, J. Appl. Phys. 1998, 83, 4928.
28. M. A. Lampert, P. Mark, Current Injection in Solids 1970, New York, Academic Press.
29. P. Pope, H. P. Kallmann, P. Magnante, and J. Chem. Phys. 1963, 38, 2042.
30. S. Miyata, H. S. Nalwa, Organic Electroluminescent Materials and Devices, Gordon and Breach Science Publishers 1997, Chap 8.
31. S. Miyata, H. S. Nalwa, Organic Electroluminescent Materials and Devices, Gordon and Breach Science Publishers 1997, Chap 9.
32. J. Yang, J. Shen, J. Appl. Phys. 1998, 84, 2105.
33. Z. Liu, J. Pinto, J. Soaves, E. Pereira, Synth. Metals 2001, 122, 177.
34. Chen, C. H. Chemistry(The Chinese Chem. Soc., Taipei)1996, 54, 125.
35. Shirota, Y.; Kuwabara, Y.; Inada, H. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 807.
36. Adachi, C.; Nagai, K.; Tamoto, N. Appl. Phys. Lette. 1995, 66, 2679.
37. J. Kido, and M. Kohda, Appl. Phy. Lett. 1992, 61, 761.
38. C . Hosokawa, H. Higashi, and T. Kusumoto, Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 3238.
39. J. Kido, K. Hongawa, K. Okuyama, and K. Nagai, Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2627.
40. J. Kido, H. Shionoya, and K. Nagai, Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 3238.
41. S. A. VanSlyke and C. H. Chen, and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2160.
42. K. Chondroudis and D. B. Mitzi, Appl. Phys. Lett. 2000, 69, 58.
43. Y. Hamada, T. Sano, H. Fujii, Y. Nishio, H. Takahashi, and K. Shibata, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 23.
44. D. G. Ma, G. Wang, Y. F. Hu, Y. G. Zhang, L. X. Wang, X. B. Jing, and F. S. Wang, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 8.
45. E. M. Han, L. M. Do, N. Yamamoto, M. Fujihira, Synth. Metals 1996, 273, 202.
46. P. F. Smith, P. Gerroir, S. Xie, A. M. Hor, Z. Popovic, M. L. Hair, Langmuir 1998, 14, 5946.
47. J. C. Scott, J. H. Kaufman, P. J. Brock, R. Dipietro, J. Salem, J. A. Goitia, J. Appl. Phys. 1996, 79, 2745.
48. 翁文國, 博士論文, 國立清華大學材料科學與工程研究所, 1999.
49. H. Aziz, Z. Popovic, S. Xie, A. M. Hor, N. Hu, C. Tripp, G. Xu, Appl. Phys. Lette. 1998, 72, 2642.
50. L. S. Liao, J. He, X. Zhou, M. Lu, Z. H. Xiong, Z. B. Deng, X. Y. Hou, S. T. Lee. J. Appl. Phys. 2000, 88, 2386.
51. M. Fujihira, L. M. Do, A. Koike, E. Han, Appl. Phys. Lette. 1996, 68, 1787.
52. L. M. Do, K. Kim, T. Zyung, H. Shim, J. Kim, Appl. Phys. Lette. 1997, 70, 3470.
53. Y. Sato, H. Kanai, Mol. Cryst. Liquid Cryst. 1994, 253, 143.
54. S. T. Lee, Z. Q. Gao, L. S. Hung, Appl. Phys. Lette. 1999, 75, 1404.
55. T. Kugler, A. Johansson, I Dalsegg, U. Gelius, W. R. Salaneck, Synth. Metals 1997, 91, 143.
56. Y. Mamada, T. Sano, K. Shibata, K. Kuroki, Japan J. Appl. Phys. part 2, 1995, 34, L824.
57. 邱永昇, 碩士論文, 國立清華大學材料科學與工程研究所, 2000.
58. 黃世華, 碩士論文, 國立清華大學材料科學與工程研究所, 2003.
59. M. Takeyama, T. Ichikawa, A. Noya, Thin Solid Films 1996, 272, 18.
60. M. Takeyama, A. Noya, M. Taguchi, T. Ichikawa and K. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 2, 35