近年來可見光光源的發展日益受到重視。為它非常適合應用在
光資訊處理， 光碟記憶系統，塑膠光纖通訊以及光指示器。而

GaAs0.69P0.31/GaAs的晶格差配( 1.1%)較GaAs0.61P0.39/GaAs的晶

格差配(1.4%)為低，且其交錯條紋圖案， 差排缺 陷都較低。故

GaAs0.69P0.31/GaAs的光電元件特性均較GaAs0.61P0.39/GaAs為優。

本論文以液相磊晶法在磷化砷鎵基板上成長磷化銦鎵與磷砷化銦鎵晶膜。

先研 究未摻雜磊晶層，再分別研究摻雜碲與鋅之磊晶層，進而成長

雙層及三層晶膜以研 製同質，單異質與雙異質結構之發光二極體。

In0.37Ga0.63P之液相溫度為802度，利用超冷卻溫度10度成長未摻雜之磷

化銦 鎵磊晶層，其室溫與10K之光激發光譜半高寬分別為40meV及12

meV。 同時也研究摻 碲與鋅之磷化銦鎵晶膜其光和電之特性。以水

銀探針電容電壓儀量測磊晶層之電子 及電洞濃度，並計算出碲與鋅

的分佈係數分別為0.0086及0.048。 In0.2

Ga0.8As0.27P0.73 之液相溫度為795度，利用超冷卻溫度7度成長未摻雜

之磷砷化銦鎵磊晶層， 其室溫與10K之光激發光譜半高寬分別是36.7meV

及13.2meV 。以水銀探針電容電壓儀量測磊晶層之電子及電洞濃度，

計算其碲與鋅的分佈係數 分別為0.0038及0.063。

在元件的製作，以GaAs0.69P0.31為基板，成長p-n接面，然後將其包裝。

最後 我們成功地研製出磷化銦鎵三元同質接面，磷砷化銦鎵四元同

質接面，單異質接面 ，雙異質接面，四種不同結構的發光二極體。

並以掃描式電子顯微鏡， 電流-電壓 特性，電激發光譜，光輸出功

率，外在量子效率探討發光二極體之特性。