近年來，藉著金氧半電晶體尺寸不斷的縮小化，不但在數位電路方面，以
其速度和功率消耗等電子電路特性中，有著日新月異的長足進步，在類比

電路方面，也有良好的表現；藉著利用金氧半類比電路及時離散訊號處理

能力(Sampled and holded data)，諸如Auto zero Chopper

stabilization等，克服了金氧半電晶體在元件不匹配和抗閃爍雜訊(Fl

icker noise)能力的劣勢，甚至使類比/數位轉換器速度達到百萬赫茲級(

MHz)亦非困難之事。綜合以上所言，金氧半電晶體在電路的表現能力似乎

已有凌駕雙極性電晶體的趨勢，然而在面對傳統及時連續性訊號的處理、

溫度控制感應的能力、高轉導值和高電流驅動力，雙極性電晶體仍然是最

佳的選擇。雖說BICMOS製程融合了雙極性電晶體與金氧半電晶體各項優勢

，可完全整合所有數位和類比電路於同一晶片上，但是其製程之複雜與高

價位，大大降低了市場的競爭力。自1983年Vittoz所提出在CMOS製程中製

造出相容雙極性電晶體對於金氧半電晶體在類比電路的能力，有效提昇了

許多。一般而言，在CMOS製程中，以其電流方向分類為橫型與縱型雙極性

電晶體。在過去縱型雙極性電晶體已經廣泛使用在CMOS製程中，然而，其

缺點在於集極端(collector)必須連接於基座上，如此將使此種雙極性電

晶體在設計電路方面受到限制。本論文的目的，利用橫型雙極性電晶體能

夠自由使用共基極、共射極、共集極各種組態，並配合縱型雙極性電晶體

高歐利電壓(Early voltage)特性，在金氧半電晶體電路設計中，發揮雙

極性電晶體的特色，企圖達到兩者配和的最佳化，儘可能取代BICMOS在類

比電路中所佔據角色。當然,所謂工欲善其事，必先利其器，對於相容雙

極性電晶體元件特性與模擬參數，必須有充分的瞭解，才能駕 馭其在電

路的表現。