研究生: |
陳忠樂 Chen, Chung Ler |
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論文名稱: |
於微影製程中CD控制之穩健設計應用(以TMSC為例) Application of Robust Design to the Control of Critical Dimension in Window Photolithography of IC Manufacturing (TSMC Case) |
指導教授: |
黎正中
Li, Chang Chung |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
工學院 - 工業工程與工程管理學系 Department of Industrial Engineering and Engineering Management |
畢業學年度: | 83 |
語文別: | 中文 |
中文關鍵詞: | 微影製程、穩健設計、線寬微距控制 |
外文關鍵詞: | window photolithography;robust design;critical dimension control |
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微影製程(Window Photolithography)是產生IC佈局的製造過程,在整個
微影製程中容易發生擺盪效應(Swing Effect),近接效應(Proximity
Effect)及機能窗(Process Window)等三個問題,這三個問題嚴重地影響
光阻影像的線寬與結構剖面,因而造成了線寬微距控制(CD Control
Critical Dimension Control ,)的偏誤,使得IC晶片品質不良。因此,為
了改善微影製程的條件,我們應用了田口玄一博士所倡導的穩健設計方法
(Robust Design) 來使整個微影製程達到穩健性,透過穩健設計來求取最
佳的可控制因子水準組合,使微影製程的機能特性對於雜音的敏感程度降
至最低,以改善影響線寬微距控制的三個問題。穩健設計方法與其他統計
實驗設計方法最大的不同在於 其運用內側直交表(可控直交表)(Inner
Array) 與外側直交表 (誤差直交表)(Outer Array)來進行實驗及利用S/N
比作實驗分析,同時直交表實驗法提供了一個低成本高效益分析實驗因子
效果之方法,而S/N比則是製程變異的衡量