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研究生： 蕭祖瑞
XIAO, ZU-RUI
論文名稱： 低壓氣相成長矽化鎢於砷化鎵之介面研究
指導教授： 林敏雄
LIN, MIN-XIOGN
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 電機資訊學院 - 電機工程學系
Department of Electrical Engineering
畢業學年度： 75
語文別： 中文
中文關鍵詞： 低壓氣相沈積法 、矽化鎢 、砷化鎵 、介面 、蕭特 、奧傑電子光譜 、拉塞福光譜 、深能階暫態光譜
外文關鍵詞： SCHOTTKY, AES, RBS, DLTS
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    • 本研究是利用低壓氣相沉積法成長矽化鎢於砷化鎵之蕭特（Schottky）接觸，其界面
    的研究。

    物性及電性上的量測有：奧傑電子光譜（AES ）、拉塞福光譜（RBS ），電流一一電

    壓，電容一一電壓特性，深能階暫態光譜（DLTS），用以研究矽化鎢於砷化鎵接觸之

    冶金學上及電性上的特性。

    由測量的結果可知，當組成比為小於１時，矽化鎢與砷化鎵之界面，並沒有明顯的相

    互擴散的現象，以及基底載子的重新分佈，即使加熱到八百度的高度下，亦具有很好

    的穩定性。但是在砷化鎵的內部有兩個屬於材質本身的缺陷，位於E －０•６１eV，

    E －０•８eV這兩個深能階會影響到蕭特接觸的特性。

    從界面特性的研究顯示，矽化鎢在組成為０•４時，長於砷化鎵上時，即使是經過高

    溫處理以後也不產生新的缺陷來。所以是適合用於砷化鎵的積體電路上，作為閘極的

    材料。

    無法下載圖示 全文公開日期 本全文未授權公開 (校內網路)

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