自從多孔矽會發光的現象被人們發現以來，其吸引了眾多研究者投入對多孔矽的研究。而發展至目前，使用化學蝕刻方法蝕刻多孔矽已經變成一項很有名的技術。而就多孔矽其結構大小而言，可以分成小於2nm的micropore、大於2nm小於2um的mesopore和大於2um的macropore的多孔矽結構。
目前將多孔矽蝕刻技術運用於微機電的領域還算是剛開始而已，所以下面我們將大略的介紹一下其在微機電方面的運用：其在微結構的運用上，多孔矽可以直做出高深寬比在250以上的結構，這比使用反應性離子蝕刻方法(reactive ion etching,RIE)所產生的洞還來的高上許多。此外，多孔矽其鬆散的結構，也可以當作犧牲層來運用，而製作出懸浮的結構。

而多孔矽本身是一種很好的絕緣材料，其絕緣的特性不只在於電性的絕緣，對於熱，其仍有很好的絕熱特性，所以多孔矽也被拿來做成元件的的絕熱層，而把多孔矽當作絕熱層的優點是：只需成長一層很薄的的多孔矽層(奈米級的)，就可以產生很好的絕熱效果。而就電性的絕緣來說：多孔矽的電阻值大約是106Ω-cm，所以可以拿來形成SOI(silicon on insulator)的絕緣層，如1986年時，Benjamin等人利用控制陽極電流方向來控制多孔矽的形成位置，再經由氧化形成SOI。而加上由於多孔矽的結構其仍屬於單晶結構，所以仍可以繼續在多孔矽上沈積單一晶格材質，此種特性更能增加多孔矽其運用性。

而多孔矽其超大的孔洞表面面積，對於感測器是一種重要的特性，Richter等人就曾利用其吸收大量水氣而改變電阻的特性來製作濕氣檢測器。

本論文的目的是觀察在不同製版(pattern)下，討論其對多孔矽蝕刻的影響，並在欲蝕刻的矽晶片背面，對金屬層使用雙面對準技術(double-side align)，來控制電蝕刻反應時所需要的電洞來源，觀察其對蝕刻過程的影響。並且在本研究中發現，當蝕刻電壓高於某特定值時，則產生不同的蝕刻結果。

此外，值得一提的是：在經過長時間的蝕刻，其結果是能將矽晶片給蝕穿，這與有些理論所說：因孔洞內電解液濃度隨孔洞深度增加而下降，因而無法蝕穿晶片的理論結果是不同的。

所以，若是能設計適當的光罩(Mask)、加上對於照光區域的控制、以及蝕刻參數的調整如：蝕刻電壓、蝕刻電流、蝕刻溶液濃度等，我們便可以做出適合於微電機應用的孔洞結構，如：穿透晶片的連接金屬線所需要的孔洞、以至於用此方法代替電感耦合式電漿蝕刻（ICP）來挖出高深寬比的結構。

在本文的第二章裡，介紹一些較為大家所能接受的多孔矽理論，而在第三章則介紹研究過程中所需要的一些製程和設備，第四章則提出實驗的結果並加以分析和討論，最後提出未來的發展以及改進之道。

The anodic etching of silicon in HF solution is a useful technique for MEMS(Micro-electrical Mechanical Systems) . We can use some structures or characters of porous silicon for MEMS technology. This paper studies how different porous silicon generalized by different masks, and uses the Double-side technique to improve undesired lateral etching during processing. Consequently, it has been demonstrated that porous silicon layers can be formed completely through the thickness of a 500 um wafer, and even thicker one.

1.V. lehmann, Thin solid Films, 255, 1995
2.M. Navarro, J. M. Lopez-Villegas, J. Samitier, J. R. Morante, J. Bausells and A. Merlos, J. Micromech. Microeng, 7,P131-123,1997
3.P. Steiner, A. Richter, and W. Lang, J. Micromech. Microeng, 3, P32, 1993
4.A. Drost, P. Steiner, H. Moser, and W. Lang, Sensor and Materials, 7, P111, 1995
5.J. D. Benjamin, J. M. Keen, A. G. Cullins, B. Innes, and N. G. Chew, appl. Phys. Lett. 49, P718, 1986
6.A. Richter, Transducers 1993, Yokohama, P310-313
7.A. Unlir, Bell Sust. Tech. J. 35. P333 , 1956
8.M. J. J. Theunissen, J. Electrochem. Soc, 1. 119, 351 (1972)
9.M. J. J. Theunissen, J. A. Apples, and W. H. C. G. Verkuylen, J Electrochem. Soc . 117. 959 (1970)
10.C. Pickering, M. I. Jbeale, D. J. Robbins, P. J. Pearon, and R. Greef, J. Phys. C17, 6535(1984)
11.R. L. Smith and S. D. Collins, J. Apply. Phys. 71(8),R1(1992)
12.X. G, Zhang, S. D. Collins and R. L. smith, J. Electronchem. Soc, 136,1561(1989)
13.V. Lehmann and U. Gosele, Apply. Phys. Lett, 58, 856 (1991)
14.V. Lehmann, Thesis ; University of Erlangen, 1988
15.T. Unagami , J. Electronchem, Soc. 127, 476(1980)
16.J-C. Vial and J, Derrien, Porous silion Science and Technology (Springer-Verlag,Berlin-Heidelberg,1994), chap1-2, pp 1-32
17.M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, M. J. Uren, N. G. Chew, and A. G. Cullis, J. Cryst. Growth 73,622 (1985)
18.M. I. J. Beale, N. G. Chew, M. J. Uren, A. G. Cullis, and J. D. Benjamin, Apply. phys. Lett, 46(1), P86(1985)
19.R. L. Smith, S. F. Chuang, and S. D. Collins, J. Electro. Meter, 17, P533(1988)
20.P. C. Searson and X. G. Zhang, J. ElectrochemicalSoc. 137, 2539
21.P. Meakin, in Phase Transitions and Critical Phenomena,edited by C. Domb and T. L. Bebowitz (Academic,New York),Vol.12,P1
22.H. Foll, Apply. Phys. A 53, 8(1991)
23.S. F. Chuang, S. D. Collins, and R. L. Smith Appl Phys.Lett 55,P675 (1989)
24.S, F Chuang, and R. L. Smith , The Technical Digest of the Solid-State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head Island , SC, June 6-9, 1988 (IEEE,New York),P 151