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| 研究生： |
顏進甫 Yan, Jin Fu |
|---|---|
| 論文名稱： |
化學氣相沈積法生長氮化鈦薄膜及其成長機制之研究 THE STUDY ON GROWING TITANIUM NITRIDE FILMS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND THE GROWING MECHANISMS |
| 指導教授： |
周更生
Chou, Kan Sen |
| 口試委員: | |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
工學院 - 化學工程學系 Department of Chemical Engineering |
| 畢業學年度： | 84 |
| 語文別： | 中文 |
| 中文關鍵詞： | 化學氣相沈積法;氮化鈦;薄膜 |
| 外文關鍵詞： | CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;CVD;TITANIUM NITRIDE;TIN;FILMS |
| 相關次數： | 點閱：112 下載：0 |
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吾人以TiCl4(NH3)2錯化合物做為以CVD法生長TiN薄膜之單一前驅物，且
量測所生長的TiN薄膜之性質，如晶相、電阻、薄膜之生長速率及表面組
態；更進一步觀察在基材silicide生長TiN薄膜後，其silicide之晶相及
其厚度變化。在TiN薄膜之特性量測方面，在所試驗的生長條件下薄膜之
晶相均為氮成份原子不足的ε-Ti2N、η-Ti3N2-x 及ζ-Ti4N3-x 晶體結
構；TiN薄膜之電阻隨著生長溫度增加而下降，但因組成不均勻使其偏差
率較大；因系統之熱對流效應使其TiN薄膜生長速率甚小，但具有隨著生
長溫度增加而增加之趨勢；TiN薄膜經由AFM與SEM之觀察可發現TiN薄膜之
晶粒將隨著生長溫度增加而增大。在silicide基材上生長TiN薄膜發現
silicide會擴散至TIN薄膜中，使得silicide之厚度會減小，且當生長溫
度越高時此現象越嚴重；又因 silicide在擴散的過程中有氧之存在，使
得silicide晶相會由TiSi及TiSi2轉變成Ti5Si4及Ti5Si3。
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