研究生: |
呂世香 Lu,Shi Shiang |
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論文名稱: |
半導體超微結構之電子結構的計算與量測 The Electronic Structure of Semiconductor Microstructures: Its Calculation and Characterization by Photoluminescence Excitation Spectroscopy |
指導教授: |
洪勝富
Horng, Sheng-fu |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
電機資訊學院 - 電機工程學系 Department of Electrical Engineering |
畢業學年度: | 83 |
語文別: | 中文 |
中文關鍵詞: | 電子結構;半導體超微結構;多能帶;能帶耦合;量子井;超晶格 |
外文關鍵詞: | electronic structure,semiconductor microstructure,multi- band, band mixing,quantum well,superlattices |
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我們在 k.p 近似成立之條件下, 發展了一廣泛之方法以計算半導體超維
微結構之電子與光學特性,並建立了光激發光光譜量測 ( PLE) 之能力,
用以量測這些低維結構的光學特性。我們的計算方法由多能帶 (multi-
band) k.p 近似出發,同時考慮了複數波向量之能態以及邊界之連續條件
而推導出多能帶之轉移矩陣。我們並給定量子井及超晶格兩種結構之轉移
矩陣所應適合之條件,進而決定該系統之電子結構。我們的方法十分廣泛
,因為外加之電場、磁場以及應變 (strain) 等均可等同加以處理,唯一
所需要修改的在最初的 Hamiltonian 矩陣。 又由於我們可以同時考慮多
能帶,對研究具有水平動量或由應變及磁場所引起的能帶耦合 (band
mixing) 的效應等十分有用。 我們的這個方法的基本概念是: 一個薛丁
格方程式可以轉換為波向量的矩陣多項式,而這個多項式的係數是維度有
限的矩陣,且是布拉格函數的基底所構成的。這個多項式的根包含了波包
函數之大小的資訊,將原來的這個矩陣多項式作代數的變換可以得到另一
個波向量的特徵值矩陣方程式, 而波包函數 (envelope function) 的大
小恰好也可以藉由對角化這矩陣而得到。我們利用這個方法實際應用在一
些結構的電子結構的計算上,用以驗證這個方法的正確性。我們發現了對
量子井而言,當水平動量不為零時,由於能帶混成的效應使得量子井的能
帶變得極為複雜。我們也由計算得到,由於應變效應的影響使得能帶產生
了複雜的變化。利用我們的方法同時也可以求出超晶格結構由於週期性所
形成的能帶。由我們所求出的量子井的電子結構,我們以非線性變分法求
得這些結構內之激子 (exciton) 的能態以及光吸收特性。 在我們的計算
中也看到了量子井中所謂的量子拘束史塔克效應 (QCSE )。我們同時利用
所擁有的 Coherent 890 鈦 - 藍寶石雷射建立了光激發光光譜量測之能
力,並用以決定低維結構之特性。