利用兆赫波時域光譜探測半導體次波長孔洞陣列的共振行為

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研究生：	馬志宇
論文名稱：	利用兆赫波時域光譜探測半導體次波長孔洞陣列的共振行為 Resonant terahertz transmission in subwavelength semiconductor hole arrays
指導教授：	齊正中
口試委員:
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	電機資訊學院 - 光電工程研究所 Institute of Photonics Technologies
論文出版年：	2010
畢業學年度：	98
語文別：	中文
論文頁數：	60
中文關鍵詞：	兆赫波、次波長孔洞陣列
外文關鍵詞：	subwavelength silicon hole arrays
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我們利用飛秒雷射激發非線性晶體ZnTe產生兆赫波源，再利用電光取樣方式得到兆赫波電場的時域分布。接著改變光學激發光強度以及變化silicon hole arrays和THz之間的角度做量測。在加入光學激發光後，在我們量測的有效頻段內(0.2 THz~1.1 THz)量測到表面電漿和光子耦合產生表面電漿電磁偏極子之訊號，透過變化樣品和入射光角度量測，觀察到表面電漿電磁偏極子訊號往高頻移動，這和我們所計算的結果相符。

摘要中文、英文………………………………………………i、ii
第一章    簡介
1.1    研究動機……………………………………………… 1
1.2    兆赫波量測技術簡介………………………………… 1
第二章    實驗原理介紹
    2.1 兆赫波產生與擷取機制……………………………… 4
    2.2 非線性晶體的電光效應……………………………… 9
    2.3 電光調制……………………………………………… 12
    2.4 表面電漿電磁偏極子(surface plasmon polaritons)
        產生機制… 15
第三章    實驗系統與架設
    3.1 雷射光源簡介………………………………………… 22
    3.2 實驗系統介紹………………………………………… 24
    3.3 自由空間中兆赫波訊號簡介………………………… 27
第四章    實驗結果與討論
    4.1 樣品製備……………………………………………… 31
    4.2 矽基板量測…………………………………………… 34
    4.3 樣品量測結果與討論………………………………… 45
第五章    結論………………………………………………   58
參考文獻………………………………………………………… 59

                                

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全文公開日期本全文未授權公開 (校內網路)
全文公開日期本全文未授權公開 (校外網路)

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