可撓式有機發光二極體之研製｜國立清華大學博碩士論文庫

簡易檢索 / 詳目顯示

回結果列表

研究生：	林宏威 Hung-Wei Lin
論文名稱：	可撓式有機發光二極體之研製 Fabrication Study of Flexible Organic Light-emitting Diodes
指導教授：	周卓煇 Jwo-Huei Jou
口試委員:
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	工學院 - 材料科學工程學系 Materials Science and Engineering
論文出版年：	2006
畢業學年度：	94
語文別：	中文
論文頁數：	153
中文關鍵詞：	可撓式、高效率、有機發光二極體、純白、泛白
外文關鍵詞：	flexible, high efficiency, organic light-emitting diodes, pure white, white
相關次數：	點閱：2 下載：0
分享至:	分享至facebook 分享至twitter

查詢本校圖書館目錄查詢臺灣博碩士論文知識加值系統勘誤回報

本研究利用真空蒸鍍製備純白白光有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode，OLED）於可撓式基材polyethersulfone （PES）；其中，先在indium tin oxide （ITO）與PES間鍍製一層薄silicon dioxide （SiO2），以平整化PES基材表面，當ITO鍍製溫度為200 ℃，最大發光效率可達6.5 lm/W，最大亮度為12,000 cd/m2，Commission International de L’Eclairage （CIE）色座標為（0.321, 0.339），其中，發光層所選用主體為可發純藍光之螢光分子1-butyl-9,10-naph-thalene-anthracene（BANE），掺雜染料為螢光紅光4-(di-cyanomethylene)- 2-methyl-6-(julolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran（DCM2），其乃藉溶劑預溶混合此主體及紅光染料，所得混合物蒸鍍源再以蒸鍍製作成單一發光層；所配合之電洞傳輸層為N,N’-bis-(1-naphthy)-N,N’diphenyl-1,1’- bi-phenyl-4-4’-di –amine （NPB）、電子傳輸層為2-2’-2”-(1,3,5-benzin- etriyl)tris-(1-phenyl-1-H-benzimi- dazole) （TPBi）、電子注入材料為lithium fluoride （LiF）、導電陰極為aluminum （Al）；此元件結構為PES/SiO2 （150Å）/ITO （500Å）/NPB （550Å）/白光發光層（350Å）/TPBi （400Å）/LiF（8Å）/Al（1500Å）。為獲得更高效率白光，另選用一具有高電致發光之藍綠光主體材料di(4-fluorophenyl) amino-di(styryl)biphenyl （DSB），摻雜0.15 wt%紅光染料DCM2之白光，其最大亮度為9,000 cd/m2，在110 cd/m2時，最大發光效率13.2 lm/W，所得CIE色座標為（0.391, 0.438）。獲此高效率的原因可歸因為：一、最適化之SiO2薄膜厚度（150 Å）以降低PES表面粗糙度，二、高溫鍍製（200 ℃）ITO薄膜，有最佳之導電性，三、高效率藍綠光DSB主體材料之選擇，四、具有高Förster能量轉移效率之主、客體發光系統，可使電子-電洞產生之激態能量，有效轉移給客發光分子；五、能階適當之元件設計，使電洞、電子容易注入發光層，進而被侷限於單一發光層中，增加發光效率。

摘要………………………………………………………………………I
獻……………………………………………………………………III
誌謝……………………………………………………………………IV
目錄……………………………………………………………………VI
表目錄………………………………………………………………….X
圖目錄…………………………………………………………………XI
壹、緒論…………………………………………………………………1
貳、文獻回顧
2-1、有機發光二極體的歷史發展………………………………….…4
2-2、發光原理…………………………………………………….…10
2-3、有機發光二極體材料之發展…………………………………...15
2-4、可撓式基材之發展…………………………………………….21
2-5、可撓式有機發光二極體之發展……………………………….24
2-6、白光有機發光二極體之發展……………………….…………..26
2-6-1、單層發光白光元件………………………………..……….27
2-6-2、積層發光白光元件………………………………..……….32


參、實驗方法
3-1、材料…………………………………………………………….38
3-2、透明導電陽極及SiO2薄膜之製備......................39

3-3、可撓式基材粗糙度與電性量測..........................40
   3-3-1、原子力顯微鏡………………………….………...40
   3-3-2、霍爾效應量測儀…………………………………………40
3-4蒸鍍裝置………………………………………………...……….41
3-5、蒸鍍速率之測定與校正………………………………………...41
3-6、蒸鍍源之製備…………………………………………………...43
3-7、基材清洗………………………………………………………...43
3-8、元件之電路設計………………………………………………...44
3-9、元件電流與亮度特性量測………………………………..…….44
3-10、發光效率之計算…………………………………………… ...45
3-11、電致發光光譜（electroluminescent spectra, EL spectra）量測...46
3-12、光激發光光譜（photoluminescent spectra, PL spectra）量測….46
3-13、紫外光吸收光譜（ultraviolet visible, UV-VIS）量測………...46

肆、結果與討論
4-1、可撓式基材對有機發光二極體之影響
4-1-1、可撓式基材粗糙度對透明導電陽極之影響……………..47
4-1-2、元件結構及鍍膜參數…………….……………………….48
4-1-3、元件電壓對電流密度及亮度之影響……….……………..48
4-1-4、可撓式基材對元件發光效率之影響…………..………….49
4-2、可撓式有機發光二極體
4-2-1、元件結構及鍍膜參數……………………………………...50
4-2-2、元件電壓對電流密度及亮度之影響……………….…….51
4-2-3、元件發光效率……………………………………………...51
4-2-4、紅光掺雜濃度對元件之電致發光光譜之影響…………...53
4-2-5、元件CIE 色座標………………………………………….55
  4-3、可撓式白光有機發光二極體
 4-3-1、SiO2薄膜厚度對可撓式白光有機發光二極體之影響.….56
   4-3-1-1、可撓式基材平整度對透明導電陽極之影響………….56
   4-3-1-2、元件結構及鍍膜參數………………………………….57
   4-3-1-3、元件電壓對亮度之影響……………………………….58
  4-3-1-4、元件發光效率………………………….………………59
 4-3-2、ITO鍍製溫度對可撓式白光有機發光二極體之影響……59
  4-3-2-1、ITO鍍製溫度對電性之影響……………….…………..60
  4-3-2-2、元件結構及鍍膜參數…………………………………..61
  4-3-2-3、元件電壓對電流密度及亮度之影響………..…………61
  4-3-2-4、元件發光效率……………………………………….….62
4-3-2-5、元件CIE色座標………………………………………..63
4-3-2-6、元件之電致發光光譜…………………………………..65
4-4、高效率可撓式有機發光二極體
4-4-1、元件結構及鍍膜參數……………………………………….65
4-4-2、元件電壓對電流密度及亮度之影響……………………….66
4-4-3、元件發光效率………………………………………………67
4-4-4、元件CIE色座標……………………………………………68
4-4-5、元件之電致發光光譜………………………………………69
伍、結論…………………………………………………………………70
陸、參考資料……………………………………………………………73

表目錄
表一、實驗中所使用的材料膜厚校正比值……………………………80
表二、各式可撓式基材物理及化學性質………………..……………..81
表三、不同可撓式基材之綠光OLEDs元件發光特性….……………82
表四、DCM2濃度對可撓式OLEDs元件之發光特性………………83
表五、SiO2薄膜厚度對ITO面電阻率及表面平方根粗糙度之影響..84
表六、SiO2厚度對可撓式白光OLEDs之發光特性………………….85
表七、ITO鍍製溫度對面電阻率及載子濃度之影響…………………86
表八、ITO鍍製溫度對可撓式白光OLEDs之發光特性…………….87
表九、高效率可撓式白光OLEDs之發光特性……………………….88

圖目錄
圖一、美國柯達公司於1987年首創異質接面之雙層元件結構及
能階示意圖……………………………………………………..89
圖二、英國劍橋大學Calvendish實驗室利用共軛聚合物所發表的
單層有機電致發光元件結構圖………………………………..90
圖三、日本Saito研究群提出載子再結合區域位於具電洞傳輸功
能的發光層上之元件結構……………...….…………………...91
圖四、1991年Adachi等人所發表的有機電致發光元件結構圖……...92
圖五、Kido教授在1992年提出載子再結合區域分別在具電洞與
電子傳輸功能的發光層上之元件結構………………………..93
圖六、OLED之元件結構及能階示意圖………………………………94
圖七、電子與電洞經再結合後之能量分配及能階示意圖……………95
圖八、Förster與Dexter兩種能量轉移機制示意圖…………………..96
圖九、Shirota教授提出元件之能階示意圖………….………………..97
圖十、香港城市大學洪教授與新加坡材料工程研究機構的李博士，提出上發光式的可撓式OLED元件結構圖…………………….98
圖十一、國際照明標準委員會（Commission International de L’Eclairage）色座標…………………………………………...99
圖十二、單層白光OLEDs結構，(a)三波長元件，（b)雙波長元件…100
圖十三、積層白光OLEDs結構，（a）三波長元件，（b）雙波長元件…101
圖十四、白光OLEDs所用有機材料NPB、DCM2之化學結構示意圖……………………………...……………………………..102
圖十五、白光OLEDs所用之藍光主體材料BANE、藍綠光主體材料及電子傳輸材料TPBi之化學結構示意圖………….……..103
圖十六、AFM表面粗糙度之示意圖…………………………………104
圖十七、真空蒸鍍系統示意圖..............................................................105
圖十八、α-step 膜厚量測儀器之工作示意圖…………………..……106
圖十九、元件電路設計圖及其製作流程……………….…………….107
圖二十、標準紅、綠、藍及白光之CIE 1931色座標位置圖………..108
圖二十一、PET之AFM量測圖……………………………………..109
圖二十二、PES之AFM量測圖……………………………………..110
圖二十三、PET表面ITO薄膜之AFM量測圖…………………….111
圖二十四、PES表面ITO薄膜之AFM量測圖……………………....112
圖二十五、綠光OLEDs之元件結構圖………………………………113
圖二十六、可撓式基材對綠光OLEDs亮度之影響………………....114
圖二十七、可撓式基材對綠光OLEDs電流密度之影響……………115
圖二十八、可撓式基材對綠光OLEDs發光效率之影響………..…..116
圖二十九、可撓式OLEDs結構圖…………………………………….117
圖三十、DCM2濃度對可撓式OLEDs發光亮度之影響……………118
圖三十一、DCM2濃度對可撓式OLEDs電流密度之影響…………119
圖三十二、DCM2濃度對可撓式OLEDs最大發光效率之影響……120
圖三十三、BANE之PL光譜與DCM2之UV-Vis吸收光譜圖……121
圖三十四、可撓式OLEDs元件能階圖……………………………..122
圖三十五、DCM2濃度對可撓式OLEDs EL光譜之影響………….123
圖三十六、DCM2濃度對可撓式OLEDs CIE色座標之影響………124
圖三十七、不同SiO2薄膜厚度之ITO PES表面AFM量測圖…….125
圖三十八、不同SiO2薄膜厚度之ITO PES表面AFM量測圖…….126
圖三十九、SiO2薄膜厚度對表面平方根粗糙度及面電阻率之影響.127
圖四十、可撓式白光OLEDs元件結構圖……………………………128
圖四十一、SiO2薄膜厚度對可撓式白光OLEDs亮度之影響……..129
圖四十二、SiO2薄膜厚度對最大亮度及表面平方根粗糙度之影響130
圖四十三、SiO2薄膜厚度對可撓式白光OLEDs元件發光效率之影響…………………………………………………………131
圖四十四、SiO2薄膜厚度對可撓式白光OLEDs元件最大發光效率及表面平方根粗糙度之影響………………………………132
圖四十五、ITO鍍製溫度對面電阻率及載子濃度之影響………….133
圖四十六、可撓式白光OLEDs元件結構圖………………………..134
圖四十七、ITO鍍製溫度對可撓式白光OLEDs發光亮度之影響..135
圖四十八、ITO鍍製溫度對可撓式白光OLEDs最大亮度及面電阻率之影響……………………………………………………136
圖四十九、ITO鍍製溫度對可撓式白光OLEDs電流密度之影響…137
圖五十、ITO鍍製溫度對可撓式白光OLEDs元件發光效率之影響..138
圖五十一、ITO鍍製溫度對可撓式白光OLEDs元件最大發光效率及面電阻率之影響…………………………………………139
圖五十二、ITO鍍製溫度對可撓式白光OLEDs元件CIE色座標之影響…………………………………………………………140
圖五十三、Burstein Moss effect示意圖……………………………....141
圖五十四、DCM2掺雜濃度為0.05 wt%時之可撓式白光OLEDs元件特性表現…………………………………………………142
圖五十五、DCM2濃度對可撓式白光OLEDs EL光譜之影響……143
圖五十六、高效率可撓式白光OLEDs元件結構圖………………..144
圖五十七、DCM2掺雜濃度對高效率可撓式白光OLEDs元件發光亮度之影響…………………………………………………145
圖五十八、DCM2掺雜濃度對高效率可撓式白光OLEDs元件面電流之影響……………………………………………………146
圖五十九、DCM2掺雜濃度對高效率可撓式白光OLEDs發光效率之影響………………………………………………………147
圖六十、藍綠光主體材料DSB之PL光譜與客發光分子DCM2的UV-vis吸收光譜圖……………………………………….148
圖六十一、高效率可撓式白光OLEDs元件能階圖……………….149
圖六十二、DCM2掺雜濃度對高效率可撓式白光OLEDs元件CIE色座標之影響………………………………………………150
圖六十三、DCM2濃度對高效率可撓式白光OLEDs元件EL光譜之影響………………………………………………………151
圖六十四、可撓式綠光OLEDs展示圖……………………………..152
圖六十五、高效率可撓式白光OLEDs展示圖……………………..153

                                

[1] K. Ziemelis, Nature 1999, 399, 408.
[2] C. W. Tang, and S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 913.
[3] J. H. Burroughs, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burn, and A. B. Holmes, Nature 1990, 347, 539.
[4] J. Y. Lee, J. H. Kwon, and H. K. Chung, Organic Electronics 2003, 4, 143.
[5] J. Kido, M. Kimura, and K. Nagai, Science 1995, 267, 1332.
[6] Z. Shen, P. E. Burrows, V. Bulović, S. R. Forrest, and M. E. Thompson, Science 1997, 276, 2009.
[7] J. Lewis, S. Grego, B. Chalamala, E. Vick ,and D. Temple, Appl. Phys. Lette. 2004, 85, 3450.
[8] A. B. Chwang, M. A. Rothman, S. Y. Mao, R. H. Hewitt, M. S. Weaver, J. A. Silvernail, K. Rajan M. Hack J. J. Brown, X. Chu, L. Moro, T. Krajewski ,and N. Rutherford, Appl. Phys. Lette. 2003, 83, 413.
[9] T. C. Gorjanc, D. Leong, and C. Py, D. Roth, Thin Solid Films 2002, 413, 181.
[10] H. Lim, W. J. Cho, C. S. Ha, S. Ando, Y. K. Kim, C. H. Park, and K. Lee, Adv. Mater. 2002, 14, 1275.
[11] A. Bernanose, M. Conet, and P. Vouauzx, J. Chem. Phys. 1953, 50, 64.
[12] P. Pope, H. P. Kallmann, and P. J. Magnante, Chem. Phys. 1963, 38, 2042.
[13] W. Helfrich and W. G. Schneider, Phys. Rev. Lett. 1965, 14, 229.
[14] W. Helfrich and W. G. Schneider, J. Chem. Phys. 1966, 44, 2902.
[15] D. F. Williams and M. Schadt, Proc. IEEE 1970, 58, 476.
[16] P. S. Vincett, W. A. Barlow, R. A. Hann, and G. G. Robert, Thin Solid Films 1982, 94, 171.
[17] R. H. Patridge, Polymer 1983, 24, 733.
[18] S. A. VanSlyke, C. W. Tang, and L. C. Robert, US. Pat. 1988, No. 4,720,432.
[19] C. W. Tang, S. A. VanSlyke, and C. H. Chen, J. Appl. Phys. 1989, 65, 3610.
[20] R. H. Friend, J. H. Burroughes, and D. D. Bradley, US. Pat. 1993, No. 5,247,190.
[21] C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui, and S. Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 1988, 27, L713.
[22] M. Era, C. Adachi, T. Tsutsui, and S. Saito, Chem. Phys. Lett. 1991, 178, 488.
[23] J. Kido, M. Kohda, K. Okuyama, and K. Nagai, Appl. Phys. Lett. 1992, 61, 761.
[24] J. Kido, M. Kimura, and K. Nagai, Science 1995, 267, 1332.
[25] J. Kido, H. Shionoya, and K. Nagai, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 2281.
[26] J. Shi and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1665.
[27] G. E. Jabbour, B. Kippelen, N. R. Armstrong, and N. Peyghambarian, Appl. Phy. Lett. 1998, 73, 1185.
[28] J. Kido and T. Mizukami, US. Pat. 2000, No. 6,013,384.
[29] N. C. Greenham, R. H. Friend, A. R. Brown, D. D. C. Bradley, K. Pichler, P. L. Burns, A. Kraft, and A. B. Holmes, Proc. SPIE 1994, 1910, 84.
[30] M. A. Baldo, D. F. O’Brien, Y. You, A. Shoustikov, S. Sibley, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, Nature 1998, 395,151.
[31] C. Adachi, M. A. Baldo, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 2001, 90,5048.
[32] Y. Shao and Y. Yang, Appl. Phy. Lett. 2005, 86, 073510.
[33] A. Dodabalapur and Bell Lab., Solid State Com. 1997, 102, 259.
[34] S. Miyata and H. S. Nalwa, Organic Electroluminescent Materials and Devices, Gordon and Breach Science Publishers, 1997, Chap 1.
[35] K. Sugiyama, D. Yoshimura, T. Miyamae, T. Miyazaki, H. Ishii, Y. Ouchi, and K. Seki, J. Appl. Phys. 1998, 83, 4928.
[36] T. Förster, Ann. Phys. 1948, 6, 55.
[37] D. L. Dexter, J. Chem. Phys. 1953, 21, 836.
[38] M. A. Lampert and P. Mark, Current Injection in Solids 1970, New York, Academic Press.
[39] S. Miyata and H. S. Nalwa, Organic Electroluminescent Materials and Devices, Gordon and Breach Science Publishers 1997, Chap 8.
[40] S. Miyata and H. S. Nalwa, Organic Electroluminescent Materials and Devices, Gordon and Breach Science Publishers 1997, Chap 9.
[41] J. Yang and J. Shen, J. Appl. Phys. 1998, 84, 2105.
[42] Z. Liu and J. Pinto, J. Soaves, E. Pereira, Synth. Metals 2001, 122, 177.
[43] K. A. Higginson, X. Zhang, and F. Padaimitrakoppulos, Chem. Mater. 1998, 10, 1017.
[44] S. A. VanSlyke, C. H. Chen, and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2160.
[45] G. Sakamoto, C. Adachi, T. Koyama, Y. Taniguchi, C. D. Merritt, H. Murata, and Z. H. Kafafi, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 766.
[46] C. Giebeler, H. Antoniadis, D. D. C. Bradley, and Y. Shirota, J. Appl. Phys. 1999, 85, 608.
[47] J. Kido, K. Hongawa, K. Okuyama, and K. Nagai, Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 815.
[48] L. Do, E. Ham, N. Yamamoto, and M. Fujihira, Mol. Cryst. Liq.Cryst. 1993, 280, 373.
[49] C. Hosokawa, H. Higashi, and T. Kusumoto, Appl. Phys. Lett. 62, 1993, 3238.
[50] J. Kido, K. Hongawa, K. Okuyama, and K. Nagai, Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2627.
[51] J. Kido, K. Hongawa, K. Okuyama, and K. Nagai, Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 815.
[52] S. A. VanSlyke, C. H. Chen, and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2160.
[53] K. Chondroudis and D. B. Mitzi, Appl. Phys. Lett. 2000, 69, 58.
[54] C. H. Chen, Chemistry（The Chinese Chem. Soc., Taipei）1996, 54, 125.
[55] Y. Shirota, Y. Kuwabara, and H. Inada, Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 807.
[56] C. Adachi, K. Nagai, and N. Tamoto, Appl. Phys. Lette. 1995, 66, 2679.
[57] Y. Sato, S. Ichinosawa, and H. Kanai, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 1998, 4, 40.
[58] Y. Hamada, T. Sano, H. Fujii, Y. Nishio, H. Takahashi, and K.Shibata, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 3338.
[59] D. G. Ma, G. Wang, Y. F. Hu, Y. G. Zhang, L. X. Wang, X. B. Jing, and F. S. Wang, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1296.
[60] L. S. Hung and C. W. Tang, US. Pat. 1997, No. 5,677,572.
[61] M. A. Baldo, D. F. Brlen, and S. R. Forrect, US. Pat. 2000, No. 6,097,147.
[62] F. Li and H. Tang, Appl. Phy. Lett. 1997, 70,1233.
[63] 田宏隆, 電子與材料雜誌, 2004, 21, 50.
[64] F. L. Wong, M. K. Fung, S. W. Tong, C. S. Lee and S. T. Lee, Thin Solid Films, 2004 466, 225.
[65] Y. Yang, Q. Huang, A. W. Metz, J. Ni, S. Jin, T. J. Marks, M. E. Madsen, A. DiVenere, and S. T. Ho, Adv. Mater. 2004, 16, 321.
[66] Y. Li, L. W. Tan, X. T. Hao, K. S. Ong and F. Zhua and L. S. Hung, Appl. Phy. Lett. 2005, 86,153508-1.
[67] A. Mikami, T. Koshiyama and T. Tsubokawa, J. J. Appl. Phys. 2005, 44, 608.
[68] Commission Internationale de L’eclairage （CIE）, Colorimetry, Publication Report No. 15.2, 1986.
[69] B. W. D’Andrade, R. J. Holmes, and S. R. Forrest, Adv. Mater. 2004, 16, 624.
[70] J. H. Jou, Y. S. Chiu, R. Y. Wang, C. P. Wang, Y. C. Huang, C. S. Lin, C. H. Cheng, and C. I. Chao, International Display Manufacturing Conference and Exhibition 2005.
[71] J. H. Jou, Y. S. Chiu, R. Y. Wang, H. C. Hu, C. P. Wang, and H. W. Lin, Organic Electronics 2005, 7, 8.
[72] S. Naka, K. Shinno, and H. Anada, Electron. Trans. IEICE 1997, 80, 1114.
[73] 林瑋哲, 碩士論文, 國立清華大學材料科學工程研究所, 2004.
[74] J. T. Lim, M. J. Lee, N. H. Lee, Y. J. Ahn, C. H. Lee, and D. H. Hwang, Curre. Appl. Phys. 2004, 4, 327-330.
[75] C. H. Chuen, Y. T. Tao, F. I. Wu, and C. F. Shu, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4609.
[76] G. Lei, L. Wang, and Y. Qiu, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5403.
[77] J. H. Jou, Y. S. Chiu, C. P. Wang, R. Y. Wang, and H. C. Hu, Appl. Phys. Lett. , 2006, 88, 193501.
[78] R. H. Jordan, A. Dodabalapur, M. Strukelj, and T. M. Miller, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 1192.
[79] S. R. Forrest, R. S. Desphande, and V. Bulovic, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 888.
[80] Y. S. Huang, J. H. Jou, W. K. Weng, and J. M. Liu, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2782.
[81] G. Cheng, F. Li, Y. Duan, J. Feng, S. Liu, S. Qiu, D. Lin, Y. Ma, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4224.
[82] Y. F. Zhang, G Cheng, Y. Zhao, J. Y. Hou, and S. Y. Liu, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 011112.
[83] J. Kido, Organic Electroluminescence Material and Display, 2001, Chap17.
[84] J. Kido, Organic Electroluminescence Material and Display, 2001, Chap 23.
[85] F. Li, G. Cheng, Y. Zhao, J. Feng, S. Liu, M. Zhang, Y. Ma, and J. Shen, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4716.
[86] G. Li and J. Shinar, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5359.
[87] S. Tokito, T. Iijima, T. Tsuzuki, and F. Sato, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2459.
[88] G. Cheng, Y. Zhao, Y. Zhang, S. Liu, F. He, H. Zhang, and Y. Ma, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4457.
[89] T. S. Liu, Y. S. Wu, M. T. Lee, H. H. Chen, C. H. Liao, and C. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4304
[90] D. Qin and Y. Tao, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 113507.
[91] M. Pope and C. E. Swenberg, Electronic Process in Organic Crystals and Polymers, Second Edition, Oxford University Press, New York, 1999.
[92] V. Bulovic, A. Shoustikov, M. A. Baldo, E. Bose, V. G.Kozlov, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, Chem. Phys. Lett. 1998, 287, 455.
[93] V. Bulovic, R. Deshpande, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, Chem. Phys. Lett. 1999, 308, 317.
[94] R. Freudenstein, A. Klett, and W. Kulisch, Thin Solid Films 2001, 398, 217.
[95] Y. Hu, X. Diao, C. Wang, W. Hao and T. Wang, J. Vacuum 2004, 75, 183.
[96] E. Burstein, Phys. Rev. 1953, 54, 632.
[97] S. Ray, R. Banerjee, A. K. Batabyal, and A. K. Barua, J. Appl. Phys. 1983, 54, 3497.
[98] 王人仰, 碩士論文, 國立清華大學材料科學與工程研究所, 2005.
[99] 郭俊頡, 碩士論文, 國立中山大學光電工程研究所, 2005.

全文公開日期本全文未授權公開 (校內網路)
全文公開日期本全文未授權公開 (校外網路)

簡易檢索 / 詳目顯示

相關論文