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研究生: 呂寧遠
Ning-Uan Liu
論文名稱: Fe,Co,Ni及Ni-Fe合金單原子層系統的電子結構,磁性與磁晶異向能
Electronic structure, magnetization and magnetocrystalline anisotropy energy of Fe,Co,Ni and Ni-Fe alloy monolayers
指導教授: 鄭弘泰
Horng-Tay Jeng
口試委員:
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 理學院 - 物理學系
Department of Physics
論文出版年: 2004
畢業學年度: 92
語文別: 中文
論文頁數: 96
中文關鍵詞: 磁晶異向能密度泛函理論第一原理計算
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  • 摘要:

    本文是以VASP(Vienna Ab-initio Simulation Package)軟體計算磁性薄膜的能帶結構,電荷分佈,磁化強度的大小與方向與系統的能量,進而研究實驗上觀察到的SRT(Spin Reorientation Transition)現象。VASP是目前最先進的第一原理計算軟體之一,它是基於密度泛函理論以及後續發展的許多技巧,將多體量子問題轉化為求解一組自恰的單電子方程式的軟體。對於許多材料的物理特性,VASP能提供快速且準確的解答。本文研究的薄膜包括Fe,Co以及Ni的單原子層,並加入Cu的基板與未加基板的結果作比較。另外還計算了Ni-Fe合金單原子層。

    在實驗上觀測到一些磁性薄膜,例如Ni/Cu(001),Fe/Cu(001),Fe/Ag(001)等系統,薄膜的磁化強度方向會隨著厚度增加而變化。其他變因(如溫度,組成成分,壓力)也可能影響薄膜的磁性方向,這種磁性方向的轉變,稱為SRT。SRT的發生,理論上可解釋為薄膜系統的總能量中,電子自旋與軌道角動量耦合的一項,造成的各向異性。這個能量修正項在總能量中只佔一小部分,因此要得到它的精確數值便須使計算量變大。本文研究了能量的各向異性,也在定性上探討了藉由比較各方向的軌道磁矩,來得到薄膜磁性的方向。除了SRT現象以外,經由計算也可以得到某些系統的電荷轉移,造成表面與內層電荷與磁性的不同

    在Fe,Co以及Ni的單原子層系統中,分別變化各材料薄膜的厚度,結果在觀測到Fe的磁性隨著厚度增加,磁性由原本垂直薄膜的方向轉為平行薄膜方向,而Co與Ni趨勢正好相反,即是由躺平轉為垂直薄膜。而Ni-Fe合金薄膜(單原子厚度)隨著Fe成分增加,磁性方向由躺平轉為站立。在加入Cu基板的計算中,結果出現不一致性,有待進一步研究。電荷分佈的部分則是在數個單原子層的系統中,表面電荷量較內層稍小,而磁矩則是表面較大,這可以解釋為表面與內部原子能帶結構不同所造成。能量的各向異性與比較軌道磁矩的定性方法在未加入Cu基板的系統中頗為相符合,而在加入基板與合金系統中,則顯示若干不一致性,也有待進一步研究。


    緒論.....3 第一部份:計算的物理原理 A 固體模型 B 定義問題 C 單電子近似與Hartree近似 D Hartree近似和變分原理 E 全同費米子與hartree-Fock近似 F X 近似 G 泛函微分 H DFT與K-S方程式 I 固體結構 J 固體的磁性 第二部分:計算的流程與方法.....17 A 計算的流程 B 計算的方法 第三部分:計算的物理系統與參數設定.....20 A 計算的物理系統 B 參數設定 第四部分:計算結果與討論.....26 A Fe-ML系統 B 單層Fe-ML加Cu基板 C Co-ML系統 D 單層Co-ML加Cu基板 E Ni-ML系統 F 單層Ni-ML加Cu基板 G Ni Fe -ML H Ni Fe -ML系統 I Ni Fe -ML系統 J 結論 第五部分:參考文獻與數據圖表.....56 A 參考文獻 B 數據圖表: 數據5-1:fcc-bulk-Fe,Co,Ni的數據 表5-1:1到5層不加LS耦合的Fe-ML系統的電荷量 表5-2:1到5層不加LS耦合的Fe-ML系統的自旋磁矩 表5-3:1層Fe-ML系統加入LS耦合選不同S軸的數據 表5-4:1到8層不加LS耦合的Co-ML系統的電荷量 表5-5:1到8層不加LS耦合的Co-ML系統的自旋磁矩 表5-6:1到8層不加LS耦合的Ni-ML系統的電荷量 表5-7:1到8層不加LS耦合的Ni-ML系統的自旋磁矩 圖5-1:Fe,Co,Ni及Cu fcc-bulk的d-PDOS圖 圖5-2:1到8層Fe-ML及加入Cu基板系統的d-PDOS圖 圖5-3:1到8層Co-ML及加入Cu基板系統的d-PDOS圖 圖5-4:1到8層Ni-ML及加入Cu基板系統的d-PDOS圖 圖5-5:1ML不同比例Ni-Fe合金的d-PDOS作圖

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