研究生: |
邱奕翔 Chiu, Eason Yi-Hsiang |
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論文名稱: |
CMOS-MEMS低功率壓力感測系統單晶片(SSoC) CMOS-MEMS LOW POWER PRESSURE SENSING SYSTEM-ON-A-CHIP(SSoC) |
指導教授: |
徐永珍
Hsu, Klaus Yung-Jane 盧向成 Lu, Michael Shiang-Cheng |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
電機資訊學院 - 產業研發碩士積體電路設計專班 Industrial Technology R&D Master Program on IC Design |
論文出版年: | 2008 |
畢業學年度: | 97 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 53 |
中文關鍵詞: | 微機電 、壓力 、感測 |
外文關鍵詞: | CMOS-MEMS, MEMS, PRESSURE, SENSOR |
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本論文提出一種以CMOS標準製程 ,實現整合類比電路與微機電結構為單晶片(SENSING SYSTEM-ON-A-CHIP,SSoC),之低功率消耗壓力感測晶片的新穎設計架構。其設計原理是利用半導體材料POLY SILICON之壓阻(PIEZORESISTIVE)特性,並設計成四個電阻之電橋電路,將壓力轉換成電阻變化量,進而使電壓準位改變,再經由低功率消耗之儀表放大器(LOW POWER INSTRUMENT AMPLIFIER)對改變之電壓進行雜訊抑制與訊號放大,最終成功將壓力轉成類比訊號輸出;此外,此架構可不必像傳統微機電(MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS,MEMS)製程設計之壓力感測晶片一樣,需使用微機電元件與類比電路分別為兩獨立晶片之Two Die解決方案,可有效降低微機電元件與類比電路之間之雜訊(NOISE)產生,以及可有效降低生產成本。
晶片的製作是透過國家晶片設計中心,以TSMC 2P4M 0.35um CMOS標準製程來完成,整個系統設計包括:(1)MEMS壓力感測器,其壓阻變化為100mV的數量級;(2)儀表放大器,為低功率消耗之儀表放大器,其功率消耗為30uW的數量級;(3)CMOS-MEMS後製程;其透過標準CMOS製程製造出來後,再經由乾蝕刻(DRY ETECHING)的RIE(REACTIVE ION ETECHING)與等向性蝕刻(ISOTROPIC ETECHING)兩道半導體製程,釋放金屬铝(METAL)及介電質二氧化矽(OXIDE)兩堆疊之半導體材料,實現微機電結構;最後以一穩定壓力,對MEMS壓力感測器施予壓力,並於示波器量測輸出端得到相對應之電壓訊號。
本研究論文很重要的意義,在於整合單晶片之設計,符合台灣現有之半導體標準製程,在未來更有機會能大量生產,並且應用於市場。除此之外,我們採用低功率消耗的介面放大電路,非常適合應用於未來輪胎壓力監控系統(TIRE PRESSURE MONITORING SYSTEM,TPMS)等,需無線遠端監控壓力感測的應用中。
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