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研究生: 譚竣元
Tan, Chun-Yuan
論文名稱: 閘堆疊處理與鍺縮合對鰭式電晶體與矽鍺金氧半電晶體之電特性影響研究
Effects of Gate Stack Treatments and Ge Condensation on Electrical Characteristics in FinFET and SiGe MOSFET
指導教授: 張廖貴術
Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員: 趙天生
Chao, Tien-Sheng
羅廣禮
Luo, Guang-Li
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 原子科學院 - 工程與系統科學系
Department of Engineering and System Science
論文出版年: 2022
畢業學年度: 110
語文別: 中文
論文頁數: 125
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  • 無法下載圖示 全文公開日期 2027/07/25 (校內網路)
    全文公開日期 2027/07/25 (校外網路)

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