簡易檢索 / 詳目顯示
| 研究生： |
陳重佑 Chen, Chung-Yu |
|---|---|
| 論文名稱： |
電漿輔助硒化製備二硒化鉬應用於可調控陽離子注入導電橋式記憶體之研究 Improved Conductive-Bridge Random Access Memory (CBRAM) via Controllable Cation Injection in MoSe2 Layers Prepared by Plasma Assisted Chemical Vapor Reaction (PACVR) |
| 指導教授： |
闕郁倫
Chueh, Yu-Lun |
| 口試委員: |
曾俊元
Tseng, Tseung-Yuen 謝光宇 Hsieh, Kuang-Yeu |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
工學院 - 材料科學工程學系 Materials Science and Engineering |
| 論文出版年： | 2022 |
| 畢業學年度： | 110 |
| 語文別： | 英文 |
| 論文頁數： | 59 |
| 相關次數： | 點閱：1 下載：0 |
| 分享至: |
| 查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
全文公開日期 本全文未授權公開 (校內網路)全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)