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研究生: 楊亞欣
Ya-Hsin Yang
論文名稱: 含氫非晶質碳膜之表面處理在液晶配向的應用
Suface Treatments on a-C:H Films for Liquid Crystal Alignment
指導教授: 黃振昌
口試委員:
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 工學院 - 材料科學工程學系
Materials Science and Engineering
論文出版年: 2007
畢業學年度: 95
語文別: 中文
論文頁數: 71
中文關鍵詞: 含氫非晶質碳液晶配向電漿射束刷磨處理預傾角表面能
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  • 本論文主要是以含氫非晶質碳(hydrogenated amorphous carbon,a-C:H)膜作為液晶配向膜,研究a-C:H膜經過表面處理後的表面性質,並將其組成液晶晶胞後,探討其液晶光學特性,最後研究出其所造成液晶配向的機制。
    首先利用電容式耦合電漿化學氣相沉積系統(CCPCVD)在ITO基板上成長出均勻且具高透光性的a-C:H膜,接著在a-C:H膜上進行表面處理,並利用接觸角量測系統、原子力顯微鏡、X光光電子能譜儀量測a-C:H膜,研究a-C:H膜經過表面處理後其表面性質的改變,再將經過表面處理的a-C:H膜組成反平行晶胞,利用偏光顯微鏡觀察其液晶配向性質,並量測其對比度和預傾角的變化。本論文所使用的表面處理分為兩個部份,第一部份為利用氬氣(Ar)電漿射束掃描系統來處理a-C:H膜,探討電漿射束入射角度、掃描模式等影響。第二部份則是利用不同粒徑大小的鑽石拋光膜在a-C:H膜上進行刷磨處理。
    研究指出,利用電漿射束掃描系統處理a-C:H膜或是利用鑽石拋光膜在a-C:H膜上進行刷磨處理,皆可成功的達到液晶配向效果。當電漿射束入射角為70度時,整體液晶配向性質較佳。電漿射束所造成的液晶配向機制,是由於Ar電漿入射將a-C:H膜表面特定方向的C-C鍵結打斷,這些懸鍵與大氣中的氧氣作用形成新的C-O鍵結,而使液晶分子能規則排列。電漿射束掃描模式決定於最後一次掃描的方向,而電漿射束掃描模式的差異是由於電漿射束發散入射至試片,造成其離子路徑長短不同。此外,具極性能的表面對於預傾角有一定的貢獻,當a-C:H膜表面越偏極性,其所組成的液晶晶胞之預傾角也較高。
    利用鑽石拋光膜在a-C:H膜上進行刷磨處理,鑽石粒徑為3μm或以下時,可成功達到液晶配向效果。而鑽石粒徑為30μm時,液晶配向效果差,有明顯的刷痕產生。利用鑽石拋光膜在a-C:H膜上進行刷磨處理,有微凹溝產生,使得液晶分子平行於刷磨方向排列而達到液晶配向效果。


    致謝..........I 摘要..........II 總目錄........IV 圖目錄.......VII 表目錄........XI 第一章 緒論...........................................1 1-1 前言與實驗動機....................................1 1-2 論文架構..........................................2 第二章 文獻回顧.......................................3 2-1 a-C:H............................................3 2-1.1 非晶質碳........................................3 2-1.2 a-C:H之特性與應用..............................4 2-2 接觸式液晶配向-刷磨配向...........................4 2-3 非接觸式液晶配向..................................6 2-3.1 斜向蒸鍍........................................6 2-3.2 光配向..........................................6 2-3.3 離子束轟擊......................................7 2-3.4 電漿處理........................................8 2-3.5 表面定向處理....................................9 2-4 微凹溝配向技術....................................9 第三章 實驗步驟與分析方法............................17 3-1 實驗流程.........................................17 3-2 實驗製程與步驟...................................17 3-2.1 a-C:H膜製備步驟................................17 3-2.2 電漿射束掃描系統...............................19 3-2.3 以鑽石拋光膜進行刷磨配向.......................20 3-3 分析方法.........................................20 3-3.1 偏光顯微鏡.....................................20 3-3.2 對比度.........................................21 3-3.3 預傾角.........................................22 3-3.4 原子力顯微鏡...................................22 3-3.5 接觸角量測與表面能分析.........................23 3-3.6 X光光電子能譜儀...............................24 第四章 利用Ar電漿射束掃描系統處理a-C:H膜之液晶配向性質與配向膜表面特性之分析.....................................34 4-1 經電漿射束掃描後,放置時間的影響.................34 4-2 電漿射束掃描速率的影響...........................35 4-3 電漿射束入射角的影響.............................36 4-4 電漿射束掃描模式的影響...........................38 4-4.1 電漿射束掃描模式對液晶配向性質的影響...........38 4-4.2 電漿射束掃描模式對a-C:H膜之表面形貌的影響......40 4-4.3 電漿射束掃描模式對a-C:H配向膜之接觸角與表面能的影響 41 4-4.4 電漿射束掃描模式對a-C:H膜之表面化學鍵結的影響..42 4-4.5 電漿射束掃描模式的差異........................43 4-5 a-C:H膜經過電漿射束掃描前後之表面形貌變化.......44 第五章 利用鑽石拋光膜在a-C:H膜上進行刷磨處理之液晶配向性質與配向膜表面特性之分析.................................62 第六章 結論..........................................71

    第二章
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    第三章
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    第四章
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