研究生: |
陳季汎 Chi-Fan Chen |
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論文名稱: |
以掃描探針灰階奈米微影術製作微光學透鏡陣列之研究 Microlens Arrays Fabricated by Scanning-Probe Gray-level Nanolithography |
指導教授: | 果尚志 |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
理學院 - 物理學系 Department of Physics |
論文出版年: | 2004 |
畢業學年度: | 92 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 73 |
中文關鍵詞: | 微透鏡 、掃描探針 、灰階微影 、奈米微影 |
外文關鍵詞: | microlens, scanning probe, gray-level lithography, nanolithography |
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在一般的認知上, 掃描探針顯微鏡( SPM,Scanning Probe Microscopy )主要是作為量測表面的工具, 它可以量測表面形貌、表面電位、表面電流、表面電容、表面磁區分佈、表面摩擦力等。然而, 掃描探針顯微鏡除了量測以外,亦可製作奈米級的微結構。本篇論文主要是利用掃描探針顯微術奈米灰階微影以及乾式蝕刻製作矽微透鏡。其中,使用掃描探針灰階奈米微影可製作凸透鏡、凹透鏡、繞射式透鏡、以及任意形狀的結構,且直徑可以小至2 µm。另外,亦可利用控制電壓矩陣製作微透鏡陣列。使用此方法的優勢在於可製作非常小尺寸的氧化點遮罩( 尺度可小至10 nm )以及準確的定位。且由於是利用灰階電壓陣列,故可製作任意形狀的連續氧化結構。在乾式蝕刻方面,我們使用反應性離子蝕刻機( RIE,Reactive Ion Etch ) 對矽表面進行蝕刻以做圖形轉移。其蝕刻後的結構與原先設計之結構也有很好的相依性。最後,本篇論文中也利用程式模擬所製作的微透鏡焦距。未來,期望以此方法之特色能對半導體製程及機電發展有所助益。
參考資料
[1] Nicholas F. Borrelli, Microoptics Technology, MARCEL DEKKER (1999)
[2] Eisner M, Schwider J., Opt Eng, 35(10), 2979 (1996)
[3] Erdmann L, Efferenn D., Opt Eng, 36(4),1094 (1997)
[4] Kim YS, Kim J, Choe JS, Roh YG, Jeon H, Woo JC., IEEE Photon Technol
Lett, 12(5), 507 (2000)
[5] Strzelecka EM, Robinson GD, Peters MC, Peters FH, Coldren LA., Electron Lett, 31(9), 724 (1995)
[6] Motamedi ME., Opt Eng, 33(11), 3505 (1994)
[7] T. N. Oder, J. Shakya, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 82, 3692 (2003).
[8] S.-H. Park, H. Jeon, Y.-J. Sung, and G.-Y. Yeom, Appl. Opt. 40, 3698 (2001); H. W. Choi, C. Liu, E. Gu, G. McConnell, J. M. Girkin, I. M. Watson, and M. D. Dawson, Appl. Phys. Lett. 84, 2253 (2004).
[9] E. Gu, H. W. Choi, C. Liu, C. Griffin, J. M. Girkin, I. M. Watson, M. D. Dawson, G.. McConnel, and A. M. Gurney, Appl. Phys. Lett. 84, 2754 (2004).
[10] Kouchiyama A, Ichimura I, Kishima K, Nakao T, Yamamoto K, Hashimoto G, Iida A, Osato K., Jpn J Appl Phys, 40, 1792 (2001)
[11] Heremans P, Genoe J, Kuijk M, Vounckx R, Borghs G., IEEE Photon Technol Lett, 9(10), 1367 (1997)
[12] King CR, Lin LY, Wu MC., IEEE Photon Technol Lett, 8(10), 1349 (1996)
[13] Okamoto T, Mori M, Karasawa T, Hayakawa S, Seo I, Sato H., Appl Opt, 38(14), 2991 (1999)
[14] Chii-Chang Chen, Ming-Hung Li, Chih-Yang Chang, Jinn-Kong Sheu, Gou-Chung Chi, Wei-Tai Cheng, Jui-Hung Yeh, Jenq-Yang Chang, Toshiaki Ito, Opt. comm., 215, 75 (2003)
[15] J. Shakya, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 85, 142 (2004)
[16] Stefan Sinzinger, Jurgen Jahns, Microoptics, WILEY-VCH (2003)
[17] H.-J. Woo, Y.-S. Kim, H.-W. Choi, W. Hong, S. Lee, M. Kufner, S. Kufner, Microelectronic Engineering, 57–58, 945, (2001)
[18] M He, X-C Yuan, N Q Ngo, J Bu and S H Tao, J. Opt. A: Pure Appl. Opt., 6, 94 (2004)
[19] W. X. Yu and X-C Yuan, Opt. Express, 11, 899 (2003)
[20] Su-dongMoon, Namsuk Lee and Shinill Kang, J. Micromech. Microeng., 13, 98 (2003)
[21] Seok-min Kim and Shinill Kang, J. Phys. D: Appl. Phys., 36, 2451 (2003)
[22] K. Watanabe, T. Morita, R. Kometani, T. Hoshino, K. Kondo, K. Kanda, Y. Haruyama, T. Kaito, J. Fujita, M. Ishida, Y. Ochiai, T. Tajima, and S. Matsui, J. Vac. Sci. Techonl. B 22, 22 (2004)
[23] Bernard Kress, Patrick Meyrueis, Digital Diffractive Optics, Wiley, New York, 49, (2000)
[24] 果尚志、簡世森,機械月刊,346,p.20-27,(2004)
[25] M. A. McCord and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Techonl. B, 3, 198 (1985)
[26] Kathryn Wilder, Calvin F. Quate, Bhanwar Singh, and David F. Kyser, J. Vac. Sci. Techonl. B, 16(6), 3864 (1998)
[27] G. Binnig, M. Despont, U. Drechsler, W. Ha berle, M. Lutwyche, P. Vettiger, H. J. Mamin, B. W. Chui and T. W. Kenny, Appl. Phys. Lett., 74, 1329, (1999)
[28] J. A. Dagata, J, Schneir, H. H. Harary, C. J. Evans, M. T. Postek, J. Bennett, Appl. Phys. Lett., 56, 2001 (1990)
[29] Ricardo Garcia, Montserrat Calleja, and Heinrich Rohrer, J. Appl. Phys., 86, 1898 (1999)
[30] F. S.-S. Chien, C.-L. Wu, Y.-C. Chou, T. T. Chen, and S. Gwo, 75, 2429 (1999)
[31] 吳宗霖、簡世森、果尚志,物理雙月刊,21(4),p.429,(1999)
[32] Phaedon Avouris, Tobias Hertel, and Richard Martel, Appl. Phys. Lett., 71, 285 (1997)
[33] Marta Tello and Ricardo Garcia, Appl. Phys. Lett., 79, 424 (2001)
[34] Montserrat Calleja and Ricardo Garcýia, Appl. Phys. Lett., 76, 3427 (2000)
[35] F. Marchi, V. Bouchiat, H. Dallaporta, V. Safarov, and D. Tonneau, P. Doppelt, J. Vac. Sci. Techonl. B 16, 2952 (1998).
[36] T. Teuschler, K. Mahr, S. Miyazaki, M. Hundhausen, and L. Ley, Appl. Phys. Lett., 67, 3144 (1995)
[37] Marta Tello and Ricardo Garcia, Appl. Phys. Lett, 83, 2339 (2003)
[38] E. H. Poindexter, C. F. Young, and G. J. Girardi, in Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices, edited by E. Garfunkel, E. Gusev, and A. Vul’ (Kluwer, Dordrecht, 1998), p. 300.
[39] 曾賢德、果尚志,電子月刊第七卷第三期,p130-144 (2001)
[40] 陳季汎、曾賢德、果尚志,電子月刊,第102期,p.150-160 (2004)
[41] Digital Instruments公司網站. http://www.di.com/welcome.html
[42] Nanosensors公司網站. http://www.nanosensors.com
[43] 莊達人,VLSI製造技術,高立出版社 (2000)
[44] Oxford公司網站. http://www.oxinst.com
[45] F. Marchi, V. Bouchiat, H. Dallaporta, V. Safarov, and D. Tonneau, P. Doppelt, J. Vac. Sci. Techonl. B 16, 2952 (1998).
[46] T. N. Oder, J. Shakya, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 82, 3692 (2003)
[47] K. Watanabe, T. Morita, R. Kometani, T. Hoshino, K. Kondo, K. Kanda, Y. Haruyama, T. Kaito, J. Fujita, M. Ishida, Y. Ochiai, T. Tajima, and S. Matsui, J. Vac. Sci. Techonl. B 22, 22 (2004).
[48] Eugene Hecht, Optics, Addison Wesley, (2002 4th ed.)