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| 研究生： |
沈永紹 Shen, Yung Shao |
|---|---|
| 論文名稱： |
以摻雜氮之鈦酸鋯氧化物及鋯鉿氧化物作為電荷儲存層實現低電壓操作快閃記憶體 Low-Voltage Operation of Flash Memory by Adopting Nitrogen-Incorporated ZrTiO4 and HfZrO as Charge Trapping Layer |
| 指導教授： |
巫勇賢
Wu, Yung Hsien |
| 口試委員: |
施君興
Shih, Chun Hsing 黃智方 Huang, Chih Fang |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
| 論文出版年： | 2016 |
| 畢業學年度： | 104 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 103 |
| 相關次數： | 點閱：1 下載：0 |
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