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| 研究生： |
蔡銘宗 Tsai, Ming-Tsung |
|---|---|
| 論文名稱： |
氧電漿處理閘極優先具有氮化銦鎵單量子井之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體研究 Study on Gate-First AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with an InGaN Single Quantum Well Using Oxygen Plasma Treatment |
| 指導教授： |
黃智方
Huang, Chih-Fang |
| 口試委員: |
徐永珍
Hsu, Yung-Jane 吳添立 Wu, Tian-Li |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
電機資訊學院 - 電子工程研究所 Institute of Electronics Engineering |
| 論文出版年： | 2021 |
| 畢業學年度： | 110 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 93 |
| 相關次數： | 點閱：146 下載：0 |
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全文公開日期 2026/11/17 (校內網路)全文公開日期 2026/11/17 (校外網路)