簡易檢索 / 詳目顯示
| 研究生： |
陳猷仁 Chen, Yu-Jen |
|---|---|
| 論文名稱： |
鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)鐵電薄膜低溫製程之研究 Study On Low Temperature Process For Synthesizing PLZT Ferroelectrice Thin Films |
| 指導教授： |
劉國雄
Liu, Kuo=Shung 林諭男 Lin, I-Nan |
| 口試委員: | |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
工學院 - 材料科學工程學系 Materials Science and Engineering |
| 畢業學年度： | 86 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 102 |
| 中文關鍵詞： | 鋯鈦酸鉛鑭 、鐵電薄膜 |
| 相關次數： | 點閱：249 下載：0 |
| 分享至: |
| 查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
由於強介電薄膜具有一些特殊的介電性、焦電性、壓電性與光電性，以致早在1970年代就開始被應用到電子與電光方面的設計，所使用的材料，大部份是一些具有鈣鈦礦（Perovskite）結構的材料。
本實驗主要是討論低溫下利用雷射剝鍍鋯鈦酸鉛鑭（PLZT），再經由不同的熱處理過程，使其形成結晶相並探討熱處理條件對電性及表面結構的影響，及緩衝層對鋯鈦酸鉛鑭（PLZT）結晶性及電性的影響，並嘗試利用低溫製程低溫鍍膜的等優點，製作鐵電薄膜圖紋。電射剝鍍法具有容易維持化學計量比、高鍍膜速率、以及可在較鎬的壓力下鍍膜等優點，因此特別適合多成份化物薄膜的製作。
在PLZT與白金（Pt）電極間加入一緩衝層，可有效降低PLZT成相的溫度，抑制焦綠石相的生成，防止疲勞現象的發生，並能防止基板物種擴散至PLZT薄膜層中，對電性亦有很大的助益。以雙電極Pt / SRO上PLZT鐵電薄膜的最佳電性是：Pr = 19uC / cm2, Ec = 78kV / cm 。
全文公開日期 本全文未授權公開 (校內網路)全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)