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研究生: 羅俊元
Chun Yuan Lo
論文名稱: 快閃記憶體新寫入方式與模擬分析
A New Programming Method for Flash Memory Cells and Simulation Analysis
指導教授: 張廖貴術
K.S. Chang-Liao
口試委員:
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 原子科學院 - 工程與系統科學系
Department of Engineering and System Science
論文出版年: 2003
畢業學年度: 91
語文別: 中文
論文頁數: 98
中文關鍵詞: 快閃記憶體新寫入方式元件模擬
外文關鍵詞: Flash Memory, New Programming Method, Simulation
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  • 本篇論文提出了一個新的寫入方式,稱為方法(A),此方法為將源極接面順偏,使得電流密度增加,進而注入電流密度也會增加,實驗結果發現寫入速度比通道熱載子注入法快了約10倍,此方法的缺點為基板漏電流太大。
    利用2D元件模擬軟體-Medici分析,發現此方法注入電流較大的原因為:電流密度的分佈與注入機率密度的分佈重疊面積較大,兩者相乘之下,使得注入電流密度比通道熱載子注入法大,所以寫入速度較快。

    本篇論文也針對源極抹除與通道抹除作一比較,比較的項目有:臨界電壓的偏移、抹除速度、氧化層接面陷住電荷的多寡,結果發現本實驗樣是比較適合源極抹除,其抹除速度較快,臨界電壓在施加應力後,臨界電壓的偏移量較小,汲極接面的Not量也比較小,傷害多半集中在源極接面。


    目 錄 摘要 ………………………………………………………………. i 致謝 …………………………………………………….………… ii 目錄 ..……………………………………………………………... iii 圖目錄 ……………………………………………………………. v 第一章 緒論 ………………………………………….………… 1 1.1 記憶體簡介與優缺點比較 ………………….………… 1 1.2 快閃記憶體元件結構 ……………………….………… 2 1.3 寫入機制-通道熱載子入 …………………………… 7 1.4 抹除機制-FN穿隧電流 ……….……………………… 12 1.5 抹除時帶對帶(Band to Band)的穿隧電流 ………........... 15 1.6 研究概要 …………………………………….................. 20 第二章 快閃式記憶體基本電性量測 ..…………………………. 21 2.1 緒論 ………………..………………………………… 22 2.2 耦合參數量測 …………………………………………. 23 2.2.1 利用臨界電壓(Threshold Voltage)之量測方式….... 23 2.2.2 利用次臨界斜率(Subthreshold Slop)之量測方式.... 27 2.2.3 利用最大線性傳輸電導(Gm’max)之量測方式…... 29 2.3 寫入偏壓的決定 ………………..……………………… 31 2.4 以GIDL方法量測接面氧化層陷住電荷(NOT) ………. 36 2.5 本章結論 ……………………………………………….. 43 第三章 新的寫入方式 ………………………………………….. 46 3.1 研究背景 ……………...……………………………...... 46 3.2 新的寫入方式 …………………………………………. 48 3.3 基板漏電流之降低 ……………………………………. 59 3.4 以模擬分析新的寫入方式之物理機制 ………………. 64 3.5 本章結論 ………………………………………………. 75 第四章 源極抹除與通道抹除比較 ……………………………. 77 4.1 研究背景及目的 ……………………………………… 77 4.2 源極抹除與通道抹除之速度比較 …………………… 79 4.3 以GIDL方法量測兩抹除方法之接面氧化層陷住電荷(NOT) ……………………………………………………….. 83 4.4 本章結論 …………………………………….………… 90 第五章 結果與討論 …………………………………………….. 94 參考文獻 ………………………………………………………… 96

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