這個研究專題主要在設計並實現一個穿隧電流感測顯微系統，而在這個機電整合系統中主要是以靜電力方式當作回饋機制。這個專題主要由兩個部分所組成；第一部分是用作感測和回饋控制的外接電路，第二部分就是以台積電CMOS 2P4M以及微機電後製程所製作出來的致動器；在系統層面的數學模擬上，以量子物理和平行電容板間靜電力關係建構出所有的數學關係式，再以數學軟體工具MATLAB做出全系統模擬，而在致動器的方面，則是以模擬軟體COVENTOR來完成所有機械特性的模擬。實現與實驗量測上，必須將全系統建構在原子力顯微鏡的平台完成實驗，實驗結果則是以電路的電壓訊號做為判斷，整個專題的主要目的為建立一個穩定的系統，並可操作系統在奈米的尺度。

[1]J. M. Bustillo, R. T. Howe, and R. S.Muller, “Surface micromachining for microelectromechanical systems,” Proceedings of the IEEE, vol. 86, no. 8, pp. 1522-1574, Aug. 1998
[2]果尚志，「奈米世界的全方位性工具」，物理雙月刊第二十三卷第六期，633-639頁(2001年12月)
[3]G. Binning and H. Rohrer, “Scanning tunneling microscopy,” IBM J. Res. Develop., vol. 30, pp. 355–369, 1986.
[4]T. W. Kenny, S. B. Waltman, J. K. Reynolds, and W. J. Kaiser, “Micromachined silicon tunneling sensor for motion detection,” Appl. Phys. Lett., vol. 58, pp. 100–102, 1991.
[5]C. H. Liu, A. M. Barzilai, J. K. Reynolds, et al., “Characterization of a High-Sensitivity Micromachined Tunneling Accelerometer With Micro-g Resolution,” Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 7, no. 2, pp. 235-244, Jun. 1998.
[6]C. Yeh and K. Najafi, “CMOS Interface circuitry for A low-voltage Micromachined Tunneling Accelerometer,” Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 7, no. 1, pp. 6-15, Mar. 1998.
[7]H.H. Woodson and J. R. Melcher, Electromechanical Dynamics, Part I: Discrete System, Chap. 3, John Wiley & Sons, New York, 1958.