研究生: |
林廉凱 Lian-Kai Lin |
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論文名稱: |
圓上的實驗設計與分析 Design and analysis of experiments on circle |
指導教授: |
鄭少為
Shao-Wei Cheng |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
理學院 - 統計學研究所 Institute of Statistics |
論文出版年: | 2007 |
畢業學年度: | 95 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 71 |
中文關鍵詞: | 反應曲面 、實驗區間 、建模區間 、極軸 、正規設計 、拉丁超方陣設計 、正交設計 |
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晶圓是製造半導體最重要的材料,將晶圓經過沈澱、蝕刻、加溫、光阻處理、塗佈、顯影等數百道加工程序,再依晶圓大小,就可切割成數十到數百顆的IC半導體晶粒。因為每一片晶圓皆由許多更小的IC半導體晶粒組成, 若要決定晶圓的品質優劣, 我們可在每個晶粒上量測某些品質特徵值, 透過這些量測值我們便可得知該片晶圓的品質好壞。而當因現實考量而無法量測晶圓上所有的晶粒的特徵值時, 該如何在晶圓上抽樣以挑選具有代表性的晶粒去做測試, 便是晶圓品管上的一個重要問題。
在本研究中我們將晶圓視為實驗區間, 而將晶圓透過極座標轉換而得到的正方形區間視為建模區間, 當實驗區間上的反應曲面具有圓效應時, 在建模區間上只需配適簡單的模型, 對真實數據即具有一定的描述能力。因為實驗區間與建模區間在實驗中所扮演的角色並不相同, 故我們對一個設計在這兩個區間上將會各自要求不同的性質, 比如在圓這個實驗區間上, 實驗點應有均勻散佈的性質, 而在建模區間上, 這些實驗點應使配適的模型有正交的性質。此外對同一個圓上的設計, 當極軸改變時在建模區間上會產生許多不同的設計, 因為未來做分析時, 該選取哪一個極軸才能得到最好的配適模型, 在實驗設計的階段並無法預測, 故我們要求在建模區間上這些不同的設計都要有好的表現。對於正規設計, 我們將提出兩個準則來挑選最佳設計, 並將其列表。而對於拉丁超方陣設計, 我們將會放寬其限制, 進而找出正交性更好的設計。
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