化學機械拋光是目前半導體製程中達到全域平坦化最有效的技術，為了讓拋光製程持續穩定的進行且維持拋光效率，拋光墊須以鑽石修整器進行適當的修整以恢復其表面形貌及物理性質。常見的硬焊鑽石碟主要是單晶鑽石顆粒所硬焊而成，因切刃高低不均與方向不一致之故，會在拋光墊表面產生深淺不一之紋路，是造成晶圓拋光均勻度下降及缺陷產生的原因之ㄧ。
因此本研究著重在中國砂輪公司所開發的次世代修整器－先進鑽石碟，其特點是擁有等高且等間距的多晶鑽石切刃，可在拋光墊上刻劃出細緻而均勻的紋路。從這兩種鑽石修整器磨耗之型態跟修整效能之關係實驗，隨著鑽石逐漸磨耗，修整效能也跟著降低，硬焊鑽石碟也因不可預期的磨損造成拋光墊粗糙度下降；而先進鑽石碟磨損之情形較均勻且無明顯鑽石破碎現象，所以有更長的壽命表現；後續利用實驗數據進行回歸分析推導修整率與鑽石磨耗高度關係之理論模式，可以藉由判斷鑽石磨耗高度了解拋光墊修整之情形，更充分地利用拋光耗材，節省成本與維持加工品質。

[1]左培倫，黃志龍，“化學機械拋光技術發展趨勢”，機械工業雜
誌，第206期，85年5月，pp.131-145。
[2]土肥俊郎等著，王建榮，林必窈，林慶福等編譯，“半導體平坦
化CMP技術”，全華科技圖書股份有限公司，89年6月再版。
[3]戴寶通，“由物理機制談化學機械研磨設備”，電子月刊第三卷
第四期，1997年4月。
[4]Boumyoung , Hyunseop Lee, Kihyun Park, Hyoungjae Kim,
Haedo Jeong,“Pad roughness variation and its effect on
material removal profile in ceria-based CMP slurry”
Journal of Materials Processing Technology,2008,vol
203,no.3,pp541-546.
[5]趙弘文，“化學機械研磨中單顆鑽石於研磨墊上作用之探討”國
立台灣大學機械工程研究所碩士論文，民國九十二年六月。
[6]宋建民，“超硬材料”，全華圖書初版，2000。.
[7]James C.Sung, “Diamond Plaber for Shaveing Wafers”,
KINIK Company。
[8]K.H. Park , H.J. Kimb, O.M. Chang, H.D. Jeong, “Effects
of pad properties on material removal in chemical
mechanical polishing”Journal of Materials Processing
Technology 187–188 (2007) 73–76
[9]J. Sung, Y. L. Pai, “CMP Pad Dresser: A Diamond Grid
Solution”,Advances in Abrasive Technology Ⅲ, The
Society of Grinding Engineers, 2000
[10]Sidney Huey, Steven T. Mear, Yuchun Wang,“Technological
breakthrough in pad life improvement and its impact on
CMP CoC”, IEEE/SEMI Advanced SemiconductorManufacturing
Conference,pp.54-58,1999.
[11]W. T. Tseng, L. C. Kang, J. H. Chin, P. Y. Cheng,
“Distribution of pressure and its effects on the
removal rate during chemical mechanical polishing
process”, CMP-MIC conference, California, USA, 1998,
pp.87.
[12]T. C. Wang, T. E. Hsieh, Y. L. Wang, C. W. Liu, K. Y.
Lo, J. K. Wang and William Lee, “A Novel Pad
Conditioning Disk Design of Tungsten Chemical
Mechanical Polishing Process for Deep Sub-Micron Device
Yield Improvement”, National Chiao-Tung University,
National Chiayi University and Kinik Company, Taiwan,
R.O.C., 2001
[13]洪佩文，“化學機械研磨中鑽石修整器修整特性之研究”， 台
灣大學機械工程系碩士論文，2002年。
[14]楊琦婷，“化學機械研磨中鑽石修整器磨耗之研究”，台灣大學
機械工程系碩士論文，2002年。
[15]黃哲浩，“化學機械拋光中鑽石修整器修整效能之研究”，清華
大學動力機械工程系碩士論文，2005年。
[16]J. Sung, Y. L. Pai, “CMP PAD DRESSER : A DIAMOND GRID
SOLUTION”, Advances in Abrasive Technology Ⅲ, The
Society of Grinding Engineers, 2000, pp189-196.
[17]宋健民，“多晶鑽石刨平器：拋光墊的精密修整及硬脆材料的延
性切削”，精密製造與新興能源機械技術專輯，2006年。
[18]Y.Moon, “Mechanical Aspects of The Material Removal
Mechanism in Chemical Mechanical Polishing (CMP)”,
Dr.dissertation, Engineering-Mechanical Engineering,
University of California, Berkeley, 1999
[19]何碩洋，“化學機械拋光中拋光墊修整參數影響之研究”，清
華大學動力機械工程系碩士論文，2002年。