摘要
本實驗利用光學微影術的方式，製作成長奈米碳管所需的電極樣品，再將樣品放入本實驗室自製的微波電漿化學氣相沉積系統之中成長奈米碳管，然後在低溫下量測跨越電極的單根及雙根多壁奈米碳管樣品，我們發現在單根樣品之中，低溫時電壓電流曲線會有階梯的變化出現，利用半導體中量子線的概念，以理論去計算在低溫、外加直流電場之下，一維奈米碳管的電學特性，然後以此去解釋在實驗中如能階般的量子效應，另外在雙根樣品中，其階梯般的變化卻不復見，因此可知在單根之中，其躍遷的現象會比較容易出現。

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