本實驗結合原子力顯微術奈米微影及傳統黃光微影，製作單根金奈米線及鈦電極，成為電阻式單一奈米線感測器，並研究光與熱導致的奈米線表面分子脫附及伴隨的電阻下降。第一部份實驗，使用厚度為7 nm的金奈米線，表面披附十二烷硫醇分子，其飽和電阻上升為18.0%，再將其暴露在254 nm UV燈下，因硫醇分子氧化成烷基磺酸鹽類，並從奈米線表面脫附，使電阻由原本的18.0%降至2.5%，恢復程度約85%。由電阻下降的時間關係分析其脫附動力學，可知光氧化為一級反應，也發現脫附常數隨光強度上升而上升。
第二部份實驗，將奈米線直接加熱，發現其電阻隨溫度上升而下降，且在25至50 °C範圍內，電阻變化與溫度呈線性關係，此外電阻下降值也隨奈米線厚度減少而增加。在45 °C時，厚度為13 nm的金奈米線電阻變化為−11.5%，12 nm的電阻變化為−12.0%，而9 nm的電阻變化則為−13.0%。經線性擬合後，得到厚度為13 nm的奈米線電阻下降對溫度變化率為0.0058/°C，12 nm為0.0061/°C，9 nm則為0.0066/°C。
若以波長633 nm的17 mW氦氖雷射，在顯微鏡下聚焦至金奈米線上後，電阻由於電漿熱效應而下降，並觀察到厚度為9 nm的金奈米線電阻下降約為0.9%。此變化值遠小於電漿加熱效應，主要是由於基板的散熱使得奈米線溫度無法大幅上升。

(1)Sondheimer, E. H. Adv. Phys. 1952, 1, 1-42.
(2)Sun, S.; Chong, K. S.; Leggett, G. J. Nanotechnology 2005, 16, 1798-1808.
(3)Huang, X.; El-Sayed, M. A. Am. J. Med. 2011, 47, 1-9.
(4)Durkan, C.; Welland, M. Phys. Rev. B 2000, 61, 14215-14218.
(5)Persson, B. J. Chem. Phys. 1993, 98, 1659-1672.
(6)Persson, B. J. Phys. C 1978, 11, 4251-4269.
(7)Shi, P.; Zhang, J.; Lin, H. Y.; Bohn, P. W. Small 2010, 6, 2598-2603.
(8)Lin, H.-Y.; Chen, H.-A.; Lin, H.-N. Anal. Chem. 2008, 80, 1937-1941.
(9)Schlenoff, J. B.; Li, M.; Ly, H. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 12528-12536.
(10)Xu, S.; Cruchon-Dupeyrat, S. J.; Garno, J. C.; Liu, G.-Y.; Jennings, G. K.; Yong, T.-H.; Laibinis, P. E. J. Chem. Phys. 1998, 108, 5002-5012.
(11)Zhang, Y.; Terrill, R. H.; Bohn, P. W. Chem. Mater. 1999, 11, 2191-2198.
(12)Cooper, E.; Leggett, G. J. Langmuir 1998, 14, 4795-4801.
(13)Hutt, D. A.; Leggett, G. J. J. Phys. Chem. 1996, 100, 6657-6662.
(14)Brewer, N. J.; Janusz, S.; Critchley, K.; Evans, S. D.; Leggett, G. J. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 11247-11256.
(15)Evans, S. D.; Ulman, A. Chem. Phys. Lett. 1990, 170, 462-466.
(16)Alloway, D. M.; Hofmann, M.; Smith, D. L.; Gruhn, N. E.; Graham, A. L.; Colorado, R.; Wysocki, V. H.; Lee, T. R.; Lee, P. A.; Armstrong, N. R. J. Phys. Chem. 2003, 107, 11690-11699.
(17)Hutter, E.; Fendler, J. H. Adv. Mater. 2004, 16, 1685-1706.
(18)Noguez, C. J. Phys.Chem. 2007, 111, 3806-3819.
(19)Orendorff, C. J.; Sau, T. K.; Murphy, C. J. Small 2006, 2, 636-639.

(20)Jensen, T. R.; Duval, M. L.; Kelly, K. L.; Lazarides, A. A.; Schatz, G. C.; Van Duyne, R. P. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 9846-9853.
(21)Miller, M. M.; Lazarides, A. A. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 21556-21565.
(22)Staleva, H.; Skrabalak, S. E.; Carey, C. R.; Kosel, T.; Xia, Y.; Hartland, G. V. Phyical Chemistry Chem. Phys. 2009, 11, 5889-5896.
(23)Kuwata, H.; Tamaru, H.; Esumi, K.; Miyano, K. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4625-4627.
(24)Link, S.; El-Sayed, M. A. J. Phys.Chem. B 1999, 103, 8410-8426.
(25)Frischkorn, C.; Wolf, M. Chem. Rev. 2006, 106, 4207-4233.
(26)Govorov, A. O.; Richardson, H. H. Nano Today 2007, 2, 30-38.
(27)Baffou, G.; Quidant, R. Laser & Photonics Rev. 2013, 7, 171-187.
(28)Banerjee, P.; Conklin, D.; Nanayakkara, S.; Park, T.-H.; Therien, M. J.; Bonnell, D. A. ACS Nano 2010, 4, 1019-1025.
(29)Mukherjee, S.; Libisch, F.; Large, N.; Neumann, O.; Brown, L. V.; Cheng, J.; Lassiter, J. B.; Carter, E. A.; Nordlander, P.; Halas, N. J. Nano Lett. 2012, 13, 240-247.
(30)Thomann, I.; Pinaud, B. A.; Chen, Z.; Clemens, B. M.; Jaramillo, T. F.; Brongersma, M. L. Nano Lett. 2011, 11, 3440-3446.
(31)Chen, H. M.; Chen, C. K.; Chen, C.-J.; Cheng, L.-C.; Wu, P. C.; Cheng, B. H.; Ho, Y. Z.; Tseng, M. L.; Hsu, Y.-Y.; Chan, T.-S. ACS Nano 2012, 6, 7362-7372.
(32)Sun, M.; Xu, H. Small 2012, 8, 2777-2786.
(33)Christopher, P.; Xin, H.; Linic, S. Nature Chem. 2011, 3, 467-472.
(34)Adleman, J. R.; Boyd, D. A.; Goodwin, D. G.; Psaltis, D. Nano Lett. 2009, 9, 4417-4423.
(35)Lee, J.; Govorov, A. O.; Kotov, N. A. Angew. Chem. 2005, 117, 7605-7608.
(36)Fang, Z.; Zhen, Y.-R.; Neumann, O.; Polman, A.; García de Abajo, F. J.; Nordlander, P.; Halas, N. J. Nano Lett. 2013, 13, 1736-1742.
(37)Lee, C.-Y.; Wu, G.-W.; Hsieh, W.-J. Sens. Actuator A. Phys. 2008, 147, 173-176.
(38)Chen, H.-A.; Lin, H.-Y.; Lin, H.-N. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 10359-10364.
(39)Jenkins, H. Chemical Thermodynamics at a Glance, 160-163.