本論文主要目的在於研究Au/GaAs介面晶格常數變化，利用三光繞射產生沿表面的繞射光來觀察介面結構的變化以及利用掠角繞射產生沿表面的繞射光輔以分析介面結構。實驗上利用CCD偵測器與IP影像板來擷取繞射圖形，因繞射點會隨著角度小幅改變而分裂，這表示基底的晶格受到薄膜的應力影響產生扭曲的現象，再利用穿透深度與量子點(QD)相關理論計算來分析垂直表面與平行表面兩個方向個別的晶格常數變化與深度之間的關係。

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