簡易檢索 / 詳目顯示
| 研究生： |
吳尚毅 Wu, Shang-Yi |
|---|---|
| 論文名稱： |
Type-II 銻化鎵/砷化鎵奈米結構之特性分析及其發光元件應用 The Characteristics of Type-II GaSb/GaAs Nano-structures and Their Application in Light-Emitting Devices |
| 指導教授： |
吳孟奇
Wu, Meng-Chyi 林時彥 Lin, Shih-Yen |
| 口試委員: |
吳孟奇
林時彥 林國瑞 施閔雄 |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
電機資訊學院 - 電子工程研究所 Institute of Electronics Engineering |
| 論文出版年： | 2011 |
| 畢業學年度： | 99 |
| 語文別： | 英文 |
| 論文頁數： | 61 |
| 中文關鍵詞： | 銻化鎵 、量子點 、量子環 |
| 外文關鍵詞： | GaSb, QD, QR |
| 相關次數： | 點閱：1 下載：0 |
| 分享至: |
| 查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
在本論文中，主要探討type-II銻化鎵/砷化鎵奈米結構之特性分析及其發光元件應用。首先，我們會探討銻和背景砷的比例對於type-II銻化鎵/砷化鎵奈米結構的影響。我們觀察到在高通量銻原子的熱退火過程中，隨著銻和背景砷流量的比例逐漸下降，銻化鎵量子點會逐漸地轉變成量子點/量子環混合、光致發光的強度會增強以及發光位置會有紅位移的現象。隨著更進一步地減少銻原子流量及銻和背景砷流量的比例，我們發現銻化鎵量子點會完全地轉變成量子環。相較於量子點而言，量子環的樣品具有較強的光致發光強度。之後，我們將探討在砷化鎵的p-i-n結構中埋入單層銻化鎵量子環的發光二極體，操作在不同注入電流及不同量測溫度下的發光情形。隨著注入電流的增加，我們觀察到電致發光的位置會有藍位移的現象，證明此發光是來自於type-II銻化鎵/砷化鎵量子環的結構。在變溫電致發光的量測中，我們觀察到隨著量測溫度的增加，電致發光的發光位置會先有藍位移之後再紅位移的現象。
[1] J.-Y. Marzin, J.-M. Gérard, A. Izraël, and D. Barrier, Phys. Rev. Lett. 73, 716-719 (1994).
[2] K. Fu and Y. Fu, Appl. Phys. Lett. 94, 181913 (2009).
[3] S. Kobayashi, C. Jiang, T. Kawazu and H. Sakaki, Jpn. J. Appl. Phys., 43 (2004) L662-L664.
[4] M. Geller, C. Kapteyn, L. Müller-Kirsch, R. Heitz, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 82, 2706 (2003).
[5] F. Hatami, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Böhrer, F. Heinrichsdorff, M. Beer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gösele, J. Heydenreich, U. Richter, S. V. Ivanov, B. Ya. Meltser, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 67, 656 (1995).
[6] Wei-Hsun Lin, Chi-Che Tseng, Kuang-Ping Chao, Shu-Cheng Mai, Shu-Yen Kung, Shug-Yi Wu, Shih-Yen Lin, and Meng-Chyi Wu, accepted for publication at IEEE Photon. Tech. Lett.
[7] K. Suzuki, R. A. Hogg, and Y. Arakawa, J. Appl. Phys. 85, 8349 (1999).
[8] R. Timm, H. Eisele, A. Lenz, L. Ivanova, G. Balakrishnan, D. L. Huffaker and M. Dahne, Phys. Rev. Lett. 101 (2008) 256101.
[9] C. C. Tseng, S. C. Mai, W. H. Lin, S. Y. Wu, B. Y. Yu, S. H. Lin, J. J. Shyue and M. C. Wu, IEEE J. Quan. Electro. 47, 335 (2011).
[10] G. Binning, C. F. Quate, and C. Gerber, Phys. Rev. Lett., 56 (1986) 930.
[11] T. R. Albrecht, S. Akamine, T. E. Carver and C. F. Quate, J. Vac. Sci. Technol. A, 9 (1990) 3386.
[12] H.-J. Butt et al. / Surface Science Reports 8 59 (2005) 1- 152.
[13] Lyuji Oza “Cathodoluminescence and Photoluminescence: Theories and Practical Applications”, 2007, CRC Press.
[14] Physics U600, Adv Lab I - Physics of Waves and Optics - Summer 2004D. Heiman, Northeastern University.
[15] T. Kawazu and H. Sakaki, Appl.Phys. Lett. 97, 261906 (2010).
[16] L. Müller-Kirsch, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 78, 1418 (2001).
[17] F. Hatami, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, F. Heinrichsdorff, R. Heitz, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, V. M. Ustinov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. B 57, 4635 (1998).
全文公開日期 本全文未授權公開 (校內網路)全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)