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| 研究生： |
卓智翔 Jhuo, Jhih-Siang |
|---|---|
| 論文名稱： |
藉由共濺鍍技術摻雜銅於二氧化鋯實現低功耗電阻式記憶體 Doping Engineering for Low Energy Operation in Cu-doped ZrO2 Resistive Random Access Memory via Co-sputtering Technology |
| 指導教授： |
闕郁倫
Chueh, Yu-Lun 邱博文 Chiu, Po-Wen |
| 口試委員: |
侯拓宏
Hou, Tuo-Hung 謝光宇 Hsieh, Kaung-Yeu |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
電機資訊學院 - 電子工程研究所 Institute of Electronics Engineering |
| 論文出版年： | 2023 |
| 畢業學年度： | 111 |
| 語文別： | 英文 |
| 論文頁數： | 56 |
| 相關次數： | 點閱：3 下載：0 |
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全文公開日期 2028/02/22 (校內網路)全文公開日期 2028/02/22 (校外網路)