研究Sc2O3/Si薄膜與基底之間介面應變場性質，目標為發展出一套以X-ray繞射進行一系列非破壞性對晶體介面晶格常數測量的方法。由於薄膜與基底之間晶格常數與結構不同，而在介面交接處產生晶格的扭曲，表現在倒晶格空間中則為倒晶格向量長度的改變。實驗上，我們利用三光複繞射的方法選取一條沿介面方向射出的二階反射光，以二維CCD偵測器或IP影像板觀察光點在不同角度時對應不同晶格常數而分裂移動的情形，最後推算出在介面附近不同深度的晶格常數變化，觀察晶格扭曲的情形。

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