近來奈米材料是熱門發展的領域，而將奈米材料作為各種維度將使材料具有更多的應用範圍。氧化鋅是一種用途很多的材料，也是一種氧化物半導體，具有寬的直接能隙與高的激子結合能，可作為短波長發光元件或是應用在紫外光雷射，是一種極有前景的半導體材料。氧化鋅奈米線的成長方法有許多種，近來以水熱法成長成功製備出氧化鋅奈米線的例子越來越多，本論文即是以水熱法在不同的基板上成長出氧化鋅奈米線，使用的反應物是硝酸鋅與氫氧化鈉，基板為氧化鋅與氮化鈦緩衝層，實驗發現，在基板為氧化鋅緩衝層的時候，可以成長出氧化鋅奈米線，並且隨著濃度的改變成長出來的氧化鋅奈米線形貌也會有所不同，在適當濃度下，成長出來的氧化鋅奈米線為單晶，而在相同的條件下，於氮化鈦基板上並無法成長出氧化鋅的奈米線，推測原因可能是氮化鈦基板無法提供如氧化鋅緩衝層一樣的同質成核條件，且也沒有氧化鋅緩衝層的柱狀晶結構，所以無法成長出氧化鋅奈米線。

1/Bin Cheng and Edward T. Samulski., Chem. Commun., 2004, 986-987
2.B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, Y. Segawa, Y. Kashiwaba and K. Haga., Nanotechnology 15 (2004) S382-S388.
3.T. P. Chow et al., Mat. Res. Soc. Symp. Proc , Vol 483 , p89 , 1998