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研究生: 林哲維
Lin, Che-Wei
論文名稱: 電荷儲存層與阻擋層之合金調變及氧化退火以提升多晶矽無接面式快閃記憶體元件元件操作特性
Enhanced Operation Characteristics of Poly-Silicon Junctionless Flash Memory Devices with Alloy Modulation and Oxidation on Charge Trapping and Blocking Layers
指導教授: 張廖貴術
Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員: 趙天生
Chao, Tien-Sheng
吳永俊
Wu, Yung-Chun
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 原子科學院 - 工程與系統科學系
Department of Engineering and System Science
論文出版年: 2024
畢業學年度: 112
語文別: 中文
論文頁數: 107
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  • 無法下載圖示 全文公開日期 2029/01/02 (校內網路)
    全文公開日期 2029/01/02 (校外網路)

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