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研究生: 解立群
論文名稱: 晶圓廠電性模型
指導教授: 鄭西顯
口試委員:
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 工學院 - 化學工程學系
Department of Chemical Engineering
論文出版年: 2008
畢業學年度: 96
語文別: 中文
論文頁數: 40
中文關鍵詞: 晶圓電性
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  • 在現今之半導體製造業裡,對於元件的微小化,製造的尺寸也越來越小,因此製程的準確度要求要越來越高,晶圓經過電性的測試(WAT),用來判斷產品的品質好壞。WAT的英文全名是 Wafer Acceptance Test,晶圓接受測試,它是晶圓在完成製程前, 能否從晶圓廠出貨到下一流程的依據。
    主要是測試擺在晶圓切割道上的測試, 測試鍵通常設計有許多元件, 如: N型(NMOS)及P型(PMOS)電晶體的電容,電阻,飽和電流(Saturated current,Isat),臨限電壓(threshold voltage ,Vt),P contact, Poly contact,Metal line,...。
    半導體廠在某特定幾個製程結束後會有抽樣量測的動作,量測晶圓與此製程相關位置的長度、寬度、深度(Critical dimension ,CD),作為該製程晶圓品質的依據,在某些製程沒有量測。
    我們採用多變項共變異分析(MANCOVA),以找到的重要參數及對電性有影響的CD當作共變數,並且以較有影響的製程機台為因子建立模型。


    1. 緖論 1 1.1. 簡介 1 1.2. 文獻回顧 2 1.3. 研究動機 3 2. 原理 4 2.1. 主成份分析 (Principle Component Analysis) 4 2.2. 變異數分析 6 2.3. 共變數分析 10 2.4. 多變項共變數分析 12 3. 系統分析 13 3.1. 製程介紹 13 3.2. 晶圓物理模型介紹 15 3.3. 線上量測(In-line metrology)模型 16 3.3.1. 電性關係 16 3.3.2. Vt model 17 3.3.3. De-dose Isat Model 18 3.3.4. De-dose Isat and Vt 19 3.4. 機台效應關係 20 3.4.1. Vt residual變異數分析 20 3.4.2. Isat 及 Vt 的兩因子變異數分析 21 3.5. 機台與電性關係 22 3.6. 以關鍵變數取代機台效應 23 3.7. 取代快速退火製程機台效應的模型 26 4. 模型預測 28 4.1. 依時間分斷的預測模型 28 4.2. 隨機選取的預測模型 33 5. 結論 38 6. 參考文獻 39

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