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研究生: 楊凱鈞
Yang, Kai-Chun.
論文名稱: 應用真空退火與電漿處理於閘界面層以改善鍺n/p型鰭式電晶體電特性之研究
Improved Electrical Characteristics in Ge n/p-FinFET with Vacuum Annealing and Plasma Treatments on Gate Interfacial Layer
指導教授: 張廖貴術
Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員: 趙天生
Chao, Tien-Sheng
李耀仁
Lee, Yao-Jen
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 原子科學院 - 工程與系統科學系
Department of Engineering and System Science
論文出版年: 2022
畢業學年度: 110
語文別: 中文
論文頁數: 152
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  • 無法下載圖示 全文公開日期 2027/07/25 (校內網路)
    全文公開日期 2027/07/25 (校外網路)

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