簡易檢索 / 詳目顯示

研究生: 陳君豪
Chun-Hao Chen
論文名稱: 射頻電漿與聚合物表面之作用
Effects of RF plasma on the surface of polymers
指導教授: 寇崇善
Chwung-Shan Kou
口試委員:
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 理學院 - 物理學系
Department of Physics
論文出版年: 2004
畢業學年度: 92
語文別: 中文
論文頁數: 47
中文關鍵詞: 電漿清潔中空陰極效應接觸角表面改質
外文關鍵詞: plasma cleaning, hollow cathode effect, contact angle, surface modification
相關次數: 點閱:2下載:0
分享至:
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報
  • 本實驗為解決一般工業界中PCB板處理不均勻性的問題,因此發展了RF-HCD系統,藉中空陰極效應產生大面積且均勻之電漿,並利用氣流及擴散將電漿均勻且有效的帶至處理盒內,達成均勻且有效的處理效果。在效果方面,成功將PCB板之表面能量由原本的15 dynes/cm提升至65 dynes/cm;在均勻度方面,處理盒內PCB板之表面能量差異僅僅5 dynes/cm左右,均勻度相當良好。
    量測上,我們量測了處理盒內之電漿離子密度,以瞭解電漿的均勻度;利用OES量測電漿區內參與反應的氣體種類與其能階狀態;量測接觸角,以瞭解PCB板在處理前後表面能量的變化。


    目錄索引 第一章 緒論 1.1 電漿在工業界之應用/1 1.1.1 聚合物(polymer)的應用/1 1.1.2 電漿對聚合物之表面處理/1 1.2 研究方向與目的/2 第二章 實驗設備與操作流程 2.1 實驗設備介紹/4 2.2 射頻能量供應系統/6 2.2.1 電漿源設計/6 2.2.2 匹配線路(Matching network)/8 2.3 量測系統介紹/8 2.3.1 電漿離子密度量測:Langmuir probe量測/8 2.3.1.1 Langmuir probe之製作方法/9 2.3.1.2 Langmuir probe量測操作步驟/11 2.3.2 表面能量量測/11 2.3.3 原子光譜量測:光譜儀量測(OES)/13 第三章 實驗方法之原理 3.1 Langmuir probe之介紹/14 3.1.1 I-V特性曲線/16 3.1.1.1 I-V特性曲線分析/16 3.1.1.2 電漿參數計算/18 3.2 中空陰極放電(Hollow Cathode Discharge, HCD)/21 3.3 接觸角(Contact angle)之定義/24 3.4 電漿與聚合物表面之作用(plasma-surface interaction)/26 第四章 實驗結果與分析 4.1 電漿離子密度量測/28 4.1.1 RF-HCD系統之電漿離子密度量測/29 4.1.2 置入PCB對電漿離子密度之影響/32 4.2 PCB板之接觸角量測/34 4.2.1接觸角隨氣壓與處理時間之變化/34 4.2.2表面能量之均勻度分析/37 4.3 電漿系統之光譜量測/41 4.3.1 峰值強度與壓力之關係/42 4.3.2 氬氣加入對峰值強度之影響/42 第五章 結論 5.1 實驗結果摘要/46 5.2 RF-HCD系統之改良與發展/47 參考文獻

    [01]C. M. Chan and T. M. Ko, Surface Science Report, 24, p.1, 1996
    [02]J. Reece Roth, Industrial Plasma Engineering, 2, p.318
    [03]呂登復, 實用真空技術, p218, 2002
    [04]David M. Pozar, Microwave Engineering, p.252, 1990
    [05]G Navascues, Rep. Prog. Phys., 42, p.1131, 1979
    [06]Dongqing, Colloids Surf., 116, p.1, 1996
    [07]David R. Lide, CRC Handbook of Chemistry and Physics, p.10-1, 1997
    [08]M. A. Liberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, Wiley, New York, 1994
    [09]Yuri P. Raizer, Gas Discharge
    [10]H.M. Mott-Smith and I. Langmuir, Phys. Rev., 28, p727, 1926
    [11]A. P. Paranjpe, J. P. Mcvittie, and S. A. Self, J. Appl. Phys., 67, 11, p.6718, 1990
    [12]R. B. Piejak, V. A. Godyak and B. M. Alexandrovich, Plasma Source Sci. Technol., 1, p.179, 1992
    [13]I. Langmuir and H. Mott-Smith, General Electric Rev., 27, p.449, 1924
    [14]P.F. Little and A. von Engel, Proc. Roy. Soc., 224, p.209, 1954
    [15]C.M. Horwitz, Appl. Phys. Lett., 43, p.977, 1983
    [16]H. Eichhorn, K.H. Schoenbach and T. Tessnow, Appl. Phys. Lett., 63, p.18, 1993
    [17]H. Barankova and L.Bardos, Surf. Coat. Technol., 120-121, p.704, 1999
    [18]H. Barankova and L.Bardos, Surf. Coat. Technol., 163-164, p.649, 2003
    [19]T. Young, Philos. Trans. R. Soc. Lomd., 95, p.65, 1805
    [20]C.N.C. Lam, R.Wu, D. Li, M.L. Hair and A.W. Neumann, Advances in Colloid and Interface Sci., 96, p.169, 2002
    [21]M. R. Wertheimer et al., Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 151, p.65, 1999
    [22]Web site:http://www.fact-index.com/

    無法下載圖示 全文公開日期 本全文未授權公開 (校內網路)
    全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)

    QR CODE