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研究生: 洪維辰
Hung, Wei-Chen
論文名稱: 退火輔助電漿處理與閘堆疊工程對互補式金氧半元件電特性之影響研究
Effect of Annealing Assisted Plasma Treatment and Gate Stack Engineering on Electrical Characteristics of CMOS Devices
指導教授: 張廖貴術
Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員: 趙天生
Zhao, Tian-Sheng
羅廣禮
Luo, Guang-Li
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 原子科學院 - 工程與系統科學系
Department of Engineering and System Science
論文出版年: 2025
畢業學年度: 113
語文別: 中文
論文頁數: 125
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  • 無法下載圖示 全文公開日期 2030/01/20 (校內網路)
    全文公開日期 2030/01/20 (校外網路)

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