本研究主要以LIGA製程技術製作毫米波元件，建立一套高效率、高精度的X光深刻技術，實際應用於深度為1.295mm的203GHz TE02模式轉換器，此元件主要可應用於返波震盪器(BWO)產生高頻微波源。
前人[2]利用微機械加工方式製作W-band TE41模式轉換器，於HP8720C網路分析儀所得量測結果與高頻結構軟體(High Frequency Structure Simulator, HFSS 10.0,Ansoft)模擬的結果有差距，量測所得穿透量與模擬10倍銅損耗穿透量相近。W-band頻段在銅材中的肌膚深度(Skin Depth)約為250nm，微機械加工所得粗糙度為500nm左右，於是利用HFSS模擬不同表面粗糙度下的影響，發現隨著粗糙度由50nm提升到500nm，穿透率下降約3%，由AFM量測 LIGA製程所得表面粗糙度約50nm，因此表面粗糙度造成的損耗可能是製程上所產生的，在結構精準度上，同一結構最小線寬為65 ，LIGA製程的誤差約為5%，而機械加工所得誤差超過20%，因此不論在線寬精準度與表面粗糙度上，製作高頻段微波元件上，LIGA製程有較佳的優勢。
未來邁向THz 波源，其元件尺寸為次微米甚至到奈米等級，微機械加工方式不敷使用，需藉由LIGA 製程技術製作奈米等級的模式轉換器、共振腔、光子晶體等，有其必要性與可行性。

參考文獻
[1] 朱國瑞，張存續，陳仕宏， “電子迴旋脈射--原理及應用”， 物理雙月刊， 28(2)， 2006。
[2] C.F. Yu，T.H. Chang, “IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES”, vol. 53, no. 12, pp. 3794-3798,
DECEMBER 2005.
[3] 行政院國家科學委員會， “微機電系統技術與應用”，精密儀器
發展中心，2003。
[4] W. Ehrfeld, et al., “Progress in deep-etch synchrotron radiation lithography”， J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 6, pp. 178-182, Jan/Feb 1988.
[5] 財團法人國家同步輻射研究中心網頁簡介。
[6] W. Ehrfeld, H.Lehr, “Deep X-ray lithography for the production of three-dimentional microstructures from metals, polymers and ceramics”, Radiat. Phys. Chem. vol. 45, no. 3, pp. 349-365, 1995.
[7] J.Mohr, W. Ehrfeld, D. Munchmeyer, “Requirements on resist layers in deep-etch synchrotron radiation lithography”, J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 6, pp. 2264-2267, Nov/Dec 1988.
[8] J. Mohr, W. Ehrfeld, D. Munchmeyer, A. Stutz, “Resist Technology for Deep-etch Synchrotrons Radiation Lithography”, Makromol. Chem. Macromol. Symp.,vol. 24, pp. 231-251, 1989.

[9] D. Munchmeyer, J. Langen, “Manufacture of three-dimensional microdevices using synchrotron radiation”, Rev. Sci. Instrum., vol. 63, no. 1,pp. 713-721, January 1992.
[10] 劉昆沛，“高感度SU-8光阻之超深X光光刻技術研究”， 國
立交通大學機械工程研究所碩士論文， 2003。
[11] H. Lorenz, et al., “Mechanical characterization of a new high-aspect-ratio near UV-photoresist”, Microelectronic Engineering, vol. 41-42, pp.371-374, 1998.
[12] http://www.microchem.com
[13] A del Campo, C Greiner, “SU-8:a photoresist for high-aspect-ratio and 3D submicron lithography”, J. Micromech. Microeng. vol. 17, pp. R81-R95, 2007.
[14] 楊啟榮， “SU-8厚膜光阻於微系統UV-LIGA製程的應用”， 科
儀新知，21(5)， 1999。
[15] H. K. Chang, Y. K. Kim, “UV-LIGA process for high aspect ratio structure using stress barrier and C-shaped etch hole”, Sensors and Actuators, vol 84, pp.342-350, 2000.
[16] J. M.Shaw, et al., “Negative photoresists for optical lithography”, IBM J. Res. Develop. , vol. 4, no. 1/2, pp. 81-94,January/March 1997.
[17] 龍文安， “半導體奈米技術”， 五南圖書出版公司， 2006。
[18] 侯光煦， “脈衝電流電鑄Ni-P鍍層之磨潤特性研究”， 國立
中央大學機械工程研究所博士論文， 2006。
[19] 林芸萱， “毫米波TE41模式轉換器之LIGA技術研究”， 國立
清華大學物理研究所碩士論文， 2008。
[20] 莊達人， “VLSI製造技術”， 高立圖書， 2003。
[21] 溫榮弘， “微系統技術Microsystem Technology”， 全華科
技圖書，2005。
[22] X. Wei, C. H. Lee, Z. Jiang, K. Jiang, ”Thick photoresists forelectroforming metallic microcomponents”, J. Mechanical Engineering Science, vol. 222,
pp. 37-42, 2008.
[23] 魏紹倫， “光刻模造光干涉式生物感測晶片之研究”， 國立
清華大學微機電工程研究所碩士論文， 2007。
[24] N.V.Mandich, ”Pulse and Pulse-Reverse Electroplating”, Metal Finishing,vol. 97, pp. 375-380, 1999.
[25] Chang, T. H., Li, C. H., Wu, C. N., Yu, C. F., ”Exciting Circular TEmn Modes at Low Terahertz Region”, Applied Physicas Letters, vol. 93, 111503, 2008.