研究生: |
黃許囿 Huang, Hsu-Yu |
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論文名稱: |
以分子束磊晶在矽基板上自催化成長砷化鎵核殼結構奈米線及其在太陽能電池上的應用 Self-Catalyzed MBE Growth of GaAs Core-Shell Nanowires on Silicon (111) for Photovoltaic Devices |
指導教授: |
黃金花
Huang, Jin-Hua |
口試委員: |
李薇妮
黃柏瑋 |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
工學院 - 材料科學工程學系 Materials Science and Engineering |
論文出版年: | 2012 |
畢業學年度: | 100 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 82 |
中文關鍵詞: | 砷化鎵 、奈米線太陽能電池 、分子束磊晶 |
外文關鍵詞: | GaAs, nanowire solar cells, MBE |
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以VLS方式成長砷化鎵奈米線大都用金當作催化劑,然而金的存在會產生深層缺陷而影響奈米線的電子電洞傳輸行為。本研究改以利用矽之原生氧化層的孔洞及鎵液滴形成自我催化劑,經由VLS過程在矽基板上異質磊晶成長砷化鎵核殼結構奈米線。本研究以矽和鈹元素分別摻雜奈米線之核層與殼層,藉由控制核層成長時間,得到不同長度但固定直徑之砷化鎵核殼結構奈米線。另一方面,我們首度發展出一套製作奈米線太陽能電池的流程,依序為靜置光阻、旋塗光阻、氧電漿蝕刻光阻、以及ITO透明電極製作,其中,我們進ㄧ步觀察氧電漿蝕刻時間與ITO電極的退火溫度對於光電轉換效率及吸光範圍的影響。最後,得到完整的砷化鎵奈米線太陽能電池效率之探討。
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