我們用同質雙磊晶界面來製作高溫超導約瑟芬元件，在脈衝雷射的薄膜成長方式下，已經發展出YBCO（高溫）/ YBCO（低溫）/ YSZ（a-b平面相對基板旋轉45 ）及YBCO（高溫）/ YSZ（a-b平面相對基板旋轉0 ）的結構。但其在晶界結的部分，因為脈衝雷射成長速度快，薄膜結晶顆粒大，因此在做蝕刻時很容易蝕刻出鋸齒狀的晶界結。因此我們想嘗試利用90度離軸高頻磁濺鍍（90 off-axis RF magnetron sputtering）的薄膜成長方式，來嘗試看看是否能得到好的臨界電流密度Jc。在此我們濺鍍許多不同溫度的薄膜，從電性量測、X-ray θ-2θ量測、φ-scan量測以及SQUID量測來看YBCO薄膜成長的方向性、臨界電流密度Jc與鍍膜溫度之間的關係，以期能找出最佳條件來製作同質雙磊晶約瑟芬元件。而量測結果發現，較大的臨界電流密度Jc，並非只與薄膜的臨界溫度有關，也與薄膜本身的結構是否存在其他界面有關。原則上我們在較高的薄膜成長溫度可得到較高的臨界溫度Tc與臨界電流密度Jc；但在成長溫度810℃與800℃時出現與基板夾其他角度的薄膜，因而造成Jc變小，反而在成長溫度700℃時得到最高的Jc。

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