我們使用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy，AFM)在HfO2/Si(100)及TiN/Si(100)樣品上進行場致陽極氧化反應製造氧化物，並改變脈衝電壓與時間，觀察這些參數對製作氧化物上有什麼影響。除此之外，我們還將製作好氧化圖形浸泡HF溶液，觀察氧化物被HF蝕刻的變化。
實驗結果顯示，脈衝電壓的大小、施加電壓的時間對於製作氧化物上，有定性上的性質。在蝕刻方面，則發現經退火650oC的HfO2/Si(100)的蝕刻情形與場致陽極氧化反應的氧化物高度有關。
最後我們還在TiN/Si(100)上量測Force distance curve，分析TiN薄膜經過場致氧化後產生的氧化物TiOxNy在受到紫外光照射後，水膜毛細作用力是否有所差別。

By using atomic force microscopy (AFM), we investigated the AFM-induced anodic oxidation on HfO2/Si(100) and TiN/Si(100) surfaces. The heights of oxide pattern are dependent on magnitude and duration of voltage pulse. We also compared the wet etching properties of oxide patterns in diluted HF aqueous solution.
Our experimental results show that height of oxide patterns has qualitative properties with pulse voltage and duration. Etching rates of oxide patterns on HfO2 surface are not the same between different oxide heights. The etching rate of AFM-induced oxide of HfO2 film, which is post-annealed at 650oC, is related to its height.
After fabricating oxides on TiN surface, we measured adhesion forces on oxidized and non-oxidized regions by force-distance curves. The force-distance curve experiments (measurements of capillary force) are also carried out on ultraviolet-irradiated and annealed AFM-induced oxides on TiN films.

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