本研究之目的在於應用壓電噴墨方式製作出一有機場效電晶體，並量測每一層有機物的電性與最後FET整體電性。每一層有機物都以適當的溶劑溶解形成溶液，再將溶液加入清洗好的墨水夾中即可在玻璃片上進行噴墨，再將噴上有機溶液的玻璃片放入高溫爐烘烤將溶劑除去並進行退火，在適當的安排有機物的層次排列下則可製作出FET來。實驗結果顯示：太白粉水溶液在黏度42.3CP以上因為黏度值過高所以無法運用印表機噴出。Polyimide電阻值超過2000MΩ，可作為FET的介電層。醋酸銅與2-乙基己酸銅溶液經高溫烘烤並通入氫氣與氮氣後無法還原為銅，但2-乙基己酸銅粉末可在高溫烘烤並通入氫氣與氮氣後還原部分銅，但附著力不好。乳酸銀與苯甲酸銀溶液經高溫烘烤後皆可作為導電金屬層，而苯甲酸銀的導電度為3184.7 S/cm。Polypyrrole在摻雜態時的導電度為0.543 S/cm，符合半導體的導電度，但在摻雜態時沒有場效特性，所以電流電壓特性為一直線，Polypyrrole需要去摻雜才可有場效特性。甲基四氫比咯酮會腐蝕噴墨頭塑膠部分，而嘗試用金屬與玻璃材料取代噴墨頭塑膠部分，則沒有適當固定金屬與玻璃材料的固定黏膠。

[1] K. F. Teng and Robert W. Vest，“Metallization of Solar Sells with Ink Jet Printing and Silver Metallo-Organic Inks”，IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology，VOL.11,NO. 3,pp. 291-297（1988）
[2]T. R. Hebner, C. C. Wu, M. H. Lu, and J. C. Sturm，“Ink-Jet Printing of Doped Polymers for Organic Light Emitting Devices”，Applied Physics Letters，VOL.72,NO.5,pp. 519-521（1998）
[3]Jayesh Bharathan and Yang Yang，“Polymer Electroluminescent Devices Processed by Inkjet Printing：I.Polymer Light-Emitting Logo”，Applied Physics Letters，VOL.72,NO.21,pp. 2660-2662（1998）
[4]Shun-Chi Chang, Jayesh Bharathan and Yang Yang，“Dual-Color Polymer Light-Emitting Pixels Processed by Hybrid Inkjet Printing” ，Applied Physics Letters，VOL.73,NO.18,pp. 2561-2563，1998
[5]Thomas S. Lundgren, and Butrus T.Khuri-Yakub，“Controlled Ink-Jet Printing and Deposition of Organic Polymers and Solid Particles” Applied Physics Letters，VOL.73,NO.16,pp. 2375-2377，（1998）
[6]Cheong Min Hong and Sigurd Wagner，“Inkjet Printed Copper Source/Drain Metallization for Amorphous Silicon Thin-Film Transistors”，IEEE Electron Device Letters，VOL.21,NO.8,pp. 384-386（2000）
[7]H.Shirakawa, E. J. Louis, A. G. Macdiarmid, C. K. Chiang and A. J. Heeger，J Chem Soc Chem Comm 579（1977）
[8]A. K. Bakhshi, J. Ladik, and M. seel，“Comparative Study of The Electronic Structure and Conduction Properties of Polypyrrole, Polythiophene and Polyfuran and Their Copolymers”，Physical Review B，VOL.35,NO.2,pp. 704-711（1987）
[9]S. Miyauchi, A. Fueki, Y. Sorimachi and I. Tsubata，“Junction Properties Between Indium and Doped Polypyrrole”，Synthetic Metal,28 C691-C695（1989）
[10]H. Koezuka and A. Tsumura，“Field-Effect Transistor Utilizing Conducting Polymers”，Synthetic Metal,28 C753-C760（1989）
[11]S. C. K. Misra, B. D. Malhotra, N. N. Beladakere, and Subhas Chandra，“Metal/Semiconductive Polymer Schottky Device”，Applied Physics Letters，VOL.58,NO.1,pp. 51-52（1990）
[12]S. Miyauchi, Y. Goto, I. Tsubata and Y. Sorimachi，“Heterojunction Devices Consisting of Conducting Polymers”，Synthetic Metal,41-43 1051-1056（1991）
[13]Zhenan Bao, John A. Rogers and Howard E. Katz，“Printable Organic and Polymer Semiconducting Materials and Devices”，Journal of Materials Chemistry,9,1895-1904（1999）
[14]方毅，“共軛導電高分子電子元件之研究”，博士論文，清華大學化學工程研究所（1993）
[15]Donald A. Neamen，“Electronic Circuit Analysis and Design”，McGraw-Hill（1996）
[16]劉欣怡，“壓電噴墨印頭液滴形成過程之研究”，碩士論文，台灣大學機械工程學系（1997）
[17]Schroder, Dieter K and Dieter K. Schroder，“Semiconductor Material and Device Characterization”，2nd ed，New York :Wiley（1998）
[18]Shinnosuke Miyauchi, Yasuo Hattori, Toshiyuki Takamatsu and Yoshio Sorimachi，“Junction Properties of Polypyrrole Containing a Small Amount of Poly(ethylene oxide) with Indium”，Journal of Applied Polymer Science，VOL.44,377-381（1992）
[19]Katsmi Yoshino, Xiao Hong Yin, Shigenori Morita, Yutaka Nakanishi，“Preparation and Electrical Property of Polypyrrole-Polyethylene Composite”，Journal of Applied Physics，VOL.32,pp. 979-981（1993）
[20] H. Koezuka, A. Tsumura and T. Ando，“Field-Effect Transistor with Ploythiophene Thin Film”，Synthetic Metal,18,699-704，(1987)