研究生: |
董建宏 Chien-Hung Tung |
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論文名稱: |
研製電漿輔助氣相化學沉積法成長奈米碳管於玻璃基版與場發射特性之探討 |
指導教授: |
蔡春鴻博士
Dr. Chuen-Horng Tsai 柳克強博士 Dr. Keh-Chyang Leou |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
論文出版年: | 2004 |
畢業學年度: | 93 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 79 |
中文關鍵詞: | 奈米碳管 、電漿輔助氣相化學沉積法 、場發射 |
外文關鍵詞: | carbon nanotube, PECVD, field emission |
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由於奈米碳管材料的多元性,使得其應用方面於近幾年來引起了廣泛的探討與研究。在場發射應用方面上,由於奈米碳管具有特殊的幾何結構與材料本身的性質,使其得以在元件製程整合上最具有潛力的奈米材料之一。目前場發射平面顯示器在主要的製程方式多利用電弧放電法產生大量奈米碳管,再以銀膠混合後以網印製程方式將其塗佈於基板上,由於利用電弧放電法所產生的奈米碳管含有許多雜質,因此亦必須經過純化過程,而網印過程中也會造成奈米碳管的均勻度問題。因此我們在本論文研究中,利用黃光微影製程方式定義出催化劑金屬薄膜的位置進而能夠選區成長奈米碳管,並且利用電漿輔助氣相化學沉積法 ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD ) 於低溫製程環境成長奈米碳管於玻璃基板上,並且在玻璃基板上加入金屬導電層使其能夠量測奈米碳管場發射特性,而透過掃描式電子顯微鏡與穿透式電子顯微鏡得知所成長的奈米碳管頂端有催化劑鎳金屬,其成長模式為頂端成長。我們也對於製程參數的控制,例如催化劑金屬薄膜的厚度、氨氣電漿前處理時間等等製程參數來控制奈米碳管成長的密度,在場發射特性量測實驗中發現,奈米碳管成長密度較低時,會得到較大的場發射特性電流值。
參 考 文 獻
[1] S. Iijima, Nature 354, 56 (1991)
[2] L. Dai et al, Adv.Mater. 13, 12. (2001)
[3] M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, P. Avouris (Eds.),”
Carbon nanotubes: Synthesis, structure, Properties, and Application”, Springer, Berlin, 2002.
[4] M. Meyyappan et al, Plasma Sources Sci. Technol. 12, 205. (2003)
[5] T. Guo et al, Chem. Phys. Lett. 49, 243. (1995).
[6] Y. Huh et al, Journal of the Korean Physical Society 42, S732-S734. (2003).
[7] Y. Zhang et al, Appl. Phys. Lett. 79, 19. (2001)
[8] L. Delzeit et al, Nanotechnology 13, 280. (2002)
[9] T. Ikuno et al, Surf. Interface Anal. 35, 15. (2003)
[10] J. H. Han et al, Thin Solid Films 409, 126. (2002)
[11] J. B. O. Caughman et al, Appl. Phys. Lett. 83, 6. (2003)
[12] L. Delzeit et al, J. Appl. Phys. 91, 9. (2002)
[13] M. Chhowalla et al, J. Appl. Phys. 90, 10. (2001)
[14] R. S. Wagner et al, Appl. Phys. Lett, (1964)
[15] Y. Y. Wei et al, Appl. Phys. Lett. 78, 10. (2001)
[16] S. I. Honda et al, Jpn. J. Appl. Phys. 42, Pt.2, No.4B. (2003)
[17] M. Chhowalla et al, Appl. Phys. Lett. 79, 13. (2001)
[18] L. Nilsson et al, Appl. Phys. Lett. 76, 2071. (2000)
[19] S. Z. Deng et al, Surf. Interface Anal. 36, 501. (2004)
[20] 莊達人, VLSI製造技術, 高立圖書有限公司.
[21] H. S. Kang et al, Chem. Phys. Lett. 349, 196. (2001)
[22] W. Yi et al, Adv. Mater. 14, 1464. (2002)