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研究生： 陳建憲
Chen,Chien-Hsien
論文名稱： 對稱式交互氣流微波電漿源之研究
Study of a symmetric alternativegas flow microwave plasma source
指導教授： 寇崇善
Kou,Chwung-Shan
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 理學院 - 物理學系
Department of Physics
論文出版年： 2004
畢業學年度： 92
語文別： 中文
論文頁數： 54
中文關鍵詞： 電漿 、乾式清潔 、接觸角
外文關鍵詞： plasma, dry cleaning, contact angle
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    • PCB由於其物理及化學特性目前在業界被廣汎使用，而並非所有的聚合物都具有良好的附著性，因此我們以電漿處理進行表面改質。而本實驗利用電漿的擴散與PCB進行作用，表面能量從作用前的不到20dyne/cm提升至60dyne/cm以上；且利用抽氣位置控制腔體內氣流方向以交互氣流作用的方式提升處理均勻度，PCB上各點表面能量相差在5dyne/cm以下。
    　　實驗中以時間定序的方式量測脈衝式電漿源激發之電漿計算一些電漿參數，並利用分析電漿光譜的方式了解電漿內氣體游離的狀況，及量測接觸角的變化了解電漿處理效果及計算表面能量。

    第一章　緒論 1.1　前言 1.2　電漿處理的優勢 1.3　電漿對表面的處理 1.4　研究目的 第二章　實驗設備系統 2.1　微波電漿激發系統 2.1.1　電漿源 2.1.2　微波反應共振腔 2.2　Langmuir探針量測系統 2.2.1　Langmuir探針結構 2.2.2　探針量測的介面控制 2.3　光譜儀量測系統 2.4　接觸角 2.4.1　電漿表面處理系統 2.4.2　接觸角量測系統 第三章　量測方式及分析原理 3.1　Langmuir探針簡介 3.1.1　I-V特性曲線 3.1.2　I-V特性曲線分析 3.2　時間定序量測 3.2.1　時間定序量測方式 3.2.2　時間定序的優缺點 3.3　接觸角分析 第四章　時間結果與討論 4.1　電漿量測 4.1.1　I-V特性曲線 4.1.2　電漿密度 4.1.3　電漿溫度 4.2　O.E.S量測 4.2.1　氬氣電漿O.E.S 4.2.2　氧氣電漿O.E.S 4.3　接觸角量測 4.3.1　氬氣電漿對PCB的處理 4.3.2　氧氣電漿對PCB的處理 4.3.3　均勻度量測 第五章　結論 5.1　實驗結論 5.2　發展應用

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    吳倉聚博士論文，微波激發之大面積高密度表面波電漿源之研究，2000年7月

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