研究生: |
張世玠 Shih-Chieh Chang |
---|---|
論文名稱: |
利用中孔洞氧化矽材料形成氮化銦及氧化銦奈米棒的製備與光譜分析 Formation of InN and In2O3 Nanorods by Using Mesoporous Silica Template and Their Optical Properties |
指導教授: |
黃暄益
Michael Hsuan-Yi Huang |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
理學院 - 化學系 Department of Chemistry |
論文出版年: | 2007 |
畢業學年度: | 95 |
語文別: | 英文 |
論文頁數: | 58 |
中文關鍵詞: | 氮化銦 、氧化銦 、中孔洞二氧化矽 、奈米柱 |
外文關鍵詞: | Indium Nitride, Indium Oxide, Mesoporous Silica, Nanorods, SBA-15 |
相關次數: | 點閱:2 下載:0 |
分享至: |
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
我們率先利用中孔洞氧化矽材料當模板合成出氮化銦及氧化銦奈米柱。經由一個簡單的步驟,先將硝酸銦溶解在甲醇中直接帶入不經修飾的中孔洞材料SBA-15中,分別經過氧化及氮化的過程後,大量的氮化銦及氧化銦奈米柱被產生在孔洞中。這些奈米柱具有一致的尺寸大小,直徑約5-7 nm,長度約 30-40 nm。這些在中孔洞形成的氮化銦及氧化銦奈米柱有使用FT-IR、固態29Si MAS NMR光譜、粉末X-ray繞射、穿透式電子顯微鏡、選區繞射電子圖譜、拉曼光譜及氮氣吸附脫附做鑑定。
在光學性質的鑑定測量部份,奈米柱氮化銦的能帶經由吸收光譜的估計大約是1.5 eV,而其螢光放射光譜在500到700 nm波長有一個放射訊號。奈米柱氮化銦的能帶與螢光放射訊號出現在可見光波長範圍是由於所合成的氮化銦奈米柱中有少量氧化銦參雜在其中所導致。奈米柱氧化銦的吸收光譜在300 nm 有一個吸收峰,而其螢光放射光譜在波長387 nm有一個近能階邊緣放射。
We report the first formation of InN and In2O3 nanorods by using mesoporous silica template. By a simple method, In(NO3)3 dissolved in methanol was directly incorporated into non-functionalized SBA-15 powder. Large amount of InN and In2O3 nanorods were formed in the channels of SBA-15 after nitridation and oxidation process respectively. The nanorods are uniform with diameters of 5-7 nm and lengths of 30-40 nm. The final products have been characterized by FT-IR, solid-state 29Si MAS NMR spectra, powder XRD patterns, TEM images and SAED patterns, Raman spectra and nitrogen absorption-desorption isotherm measurements.
In terms of optical properties, the band gap energy value of InN nanorods estimated from absorption spectra is 1.5 eV and PL emission peak is at 598 nm in the visible region which is due to a small amount of In2O3 incorporated in InN. In2O3 nanorods show an absorption band around 300 nm and a near-band-edge emission at 387 nm.
REFERENCES
CHAPTER 1 AN INTRODUCTION TO INDIUM NITRIDE
(1) Mohammad, S.; Morcok, H. Prog. Quantum Electron. 1996,
20, 361.
(2) Chin, V. W. L.; Tansley, T. L.; Osotchan, T. J. Appl.
Phys. 1994, 75, 7365.
(3) Davydov, V. Y.; Klochikhin, A. A.; Seisyan, R. P.;
Emtsev, V. V.; Ivanov, S. V.; Vekshin, V. V.;
Bechstedt, F.; Furthmüller, J.; Harima, H.; Mudryi, A.
V.; Aderhold, J.; Semchinova, O.; Graul J. Phys. Stat.
Sol. B 2002, 229, R1.
(4) Wu, J.; Walukiewicz, W.; Yu, K. M.; Ager, J. W.;
Haller, E. E.; Lu, H.; Schaff, W. J.; Saito, Y.;
Nanishi, Y. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3967.
(5) Tansley, T. L.; Foley, C. P. J. Appl. Phys. 1986, 59,
3241.
(6) Nakamura, S. Science 1998, 282, 956.
(7) Kim, H. M.; Cho, Y. H.; Lee, H.; Kim, S.; Ryu, S. R.;
Kim, D. Y.; Kang, T. W.; Chung, K. S. Nano Lett. 2005,
4, 1059.
(8) Bhuiyan, A. G.; Hashimoto, A.; Yamamoto, A. J. Appl.
Phys. 2003, 94, 2779.
(9) Wu, J.; Walukiewicz, W.; Li, S. X.; Armitage, R.; Ho,
J. C.; Weber, E. R.; Haller, E. E.; Lu, H.; Schaff, W.
J.; Barcz, A.; Jakiela, R. Appl. Phys. Lett. 2004, 84,
2805.
(10) Burstein, E. Phys. Rev. 1954, 93, 632. Moss, T. S.
Proc. Phys. SOC (London) B 1954, 76, 775.
(11) Yoshimoto, M.; Yamamoto, H.; Huang, W.; Harima, H.;
Saraie, J.; Chayahara, A.; Horino, Y. Appl. Phys.
Lett. 2003, 83, 3480.
(12) Bhuiyan, A. G.; Sugita, K.; Kasashima, K.; Hashimoto,
A.; Yamamoto, A.; Davydov, V. Y. Appl. Phys. Lett.
2003, 83, 4788.
(13) Guo, Q. X.;Tanaka, T.; Nishio, M.; Ogawa, H.; Pu, X.
D.; Shen, W. Z. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 231913.
(14) Vaddiraju, S.; Mohite, A.; Chin, A.; Meyyappan, M.;
Sumanasekera, G.; Alphenaar, B. W.; Sankara, M. K.
Nano Lett. 2005, 5, 1625.
(15) Dingman, S. D.; Rath, N. P.; Markowitz P. D.; Gibbons,
P. C.; Buhro, W. E. Angew. Chem., Int. Ed. 2000, 39,
1470.
(16) Bal, Y. J.; Liu, Z. G.; Xu, X. G.; Cui, D. L.; Hao, X.
P. ; Feng, X.; Wang, Q. L. J. Cryst. Growth 2002, 241,
189.
(17) Xiao, J.; Xie, Y.; Tang, R.; Luo, W. Inorg. Chem.
2003, 42, 107.
(18) Sardar, K.; Deepak, F. L.; Govindaraj, A.; Seikh, M.
M.; Rao, C. N. R. Small 2005, 1, 91.
(19) Johnson, M. C.; Lee, C. J.; Bourret-Courchesne, E. D.;
Konsek, S. L.; Aloni, S.; Han, W. Q.; Zettl, A. Appl.
Phys. Lett. 2004, 85, 8670.
(20) Luo, S.; Zhou, W.; Zhang, Z.; Liu, L.; Dou, X.; Wang,
J.; Zhao, Z.; Liu, D.; Gao, Y.; Song, L.; Xiang, Y.;
Zhou, J.; Xie, S. Small 2005, 1, 1004.
(21) Zhang, J.; Xu, B.; Jiang, F.; Yang, Y.; Li, J. Phys.
Lett. A 2005, 337, 121.
(22) Liang, C. H.; Chen, L. C.; Hwang, J. S.; Chen, K. H.;
Hung, Y. T.; Chen, Y. F. Appl. Phys. Lett. 2002, 81,
22.
(23) Lan, Z. H.; Wang, W. M.; Sun, C. L.; Shi, S. C.; Hsu,
C. W.; Chen, T. T.; Chen, K. H.; Chen, C. C.; Chen, Y.
F.; Chen, L. C. J. Cryst. Growth 2004, 269, 87.
(24) Hu, M. S.; Wang, W. M.; Chen, T. T.; Hong, L. S.;
Chen, C. W.; Chen, C. C.; Chen, Y. F.; Chen, K. H.;
Chen, L. C. Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 537.
(25) Yin, L. W.; Bando, Y.; Golberg, D.; Li, M. S. Adv.
Mater. 2004, 16, 1833.
(26) Zhang, J.; Zhang, L.; Peng, X; Wang, X. J. Mater.
Chem. 2002, 12, 802.
(27) Schwenzer, B.; Loeffler, L.; Seshadri, R.; Keller, S.;
Lange, F. F., DenBaars, S. P.; Mishra, U. K. J. Mater.
Chem. 2004, 14, 6337.
(28) Zhao, D.; Feng, J.; Huo, Q.; Melosh, N.; Fredrickson,
G. H.; Chmelka, B. F.; Stucky, G. D. Science 1998,
279, 548.
(29) Han, O. J.; Kim, J. M.; Stucky, G. D. Chem. Mater.
2000, 12, 2068.
(30) Yang, C. M.; Liu, P. H.; Ho, Y. F.; Chiu, C. Y.; Chao,
K. J. Chem. Mater. 2003, 15, 275.
(31) Huang, M. H.; Choudrey, A.; Yang, P. Chem. Commun.
2000, 1063.
(32) Liu, Z.; Terasaki, O.; Ohsuna, T.; Hirage, K.; Shin,
H. J.; Ryoo, R. ChemPhysChem 2003, 4, 229.
(33) Gao, F.; Lu, Q.; Zhao, D. Adv. Mater. 2003, 15, 739.
(34) Yang, C. T.; Huang, M. H. J. Phys. Chem. B 2005, 109,
17842.
(35) Lopes, I.; Hassan, N. E.; Guerba, H.; Wallez, G.;
Davidson, A. Chem. Mater. 2006, 18, 5826.
CHAPTER 2 FORMATION OF INDIUM NITRIDE NANORODS BY USING MESOPOROUS SILICA TEMPLATE AND THEIR OPTICAL PROPERTIES
(1) Hsueh, H. S.; Yang, C. T.; Zink, J. I.; Huang, M. H. J.
Phys. Chem. B 2005, 109, 4404.
(2) Yang, C. T.; Huang, M. H. J. Phys. Chem. B 2005, 109,
17842.
(3) Davydov, V. Y.; Emtsev, V. V.; Goncharuk, I. N.;
Smirnov, A. N.; Petricov, V. D.; Mamutin, V. V.;
Vekshin, V. A.; Ivanov, S. V.; Smirnov, M. B.;
Inushima, T. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 3297.
(4) Liang, C. H.; Chen, L. C.; Hwang, J. S.; Chen, K. H.;
Hung, Y. T.; Chen, Y. F. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 22.
(5) Lan, Z. H.; Wang, W. M.; Sun, C. L.; Shi, S. C.; Hsu,
C. W.; Chen, T. T.; Chen, K. H.; Chen, C. C.; Chen, Y.
F.; Chen, L. C. J. Cryst. Growth 2004, 269, 87.
(6) Hu, M. S.; Wang, W. M.; Chen, T. T.; Hong, L. S.; Chen,
C. W.; Chen, C. C.; Chen, Y. F.; Chen, K. H.; Chen, L.
C. Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 537.
(7) Zhao, D.; Feng, J.; Huo, Q.; Melosh, N.; Fredrickson,
G. H.; Chmelka, B. F.; Stucky, G. D. Science 1998, 279,
548.
(8) Ryoo, R.; Ko, C. H.; Kruk, M.; Antochshuk, V.;
Jaroniec, M. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 11465.
(9) Jun, S.; Joo, S. H.; Ryoo, R.; Kruk, M.; Jaroniec, M.;
Liu, Z.; Ohsuna, T.; Terasaki, O. J. Am. Chem. Soc.
2000, 122, 10712.
(10) Gao, F.; Lu, Q.; Zhao, D. Adv. Mater. 2003, 15, 739.
(11) Liu, Z.; Terasaki, O.; Ohsuna, T.; Hirage, K.; Shin,
H. J.; Ryoo, R. ChemPhysChem 2003, 4, 229.
(12) Yang, C. M.; Lin, H. A.; Zibrowius, B.; Spliethoff,
B.; Schüth, F.; Liou, S. C.; Chu, M. W.; Chen, C. H.
Chem. Mater. 2007, 19, 3205.
(13) Luo, S.; Zhou, W.; Zhang, Z.; Liu, L.; Dou, X.; Wang,
J.; Zhao, Z.; Liu, D.; Gao, Y.; Song, L.; Xiang, Y.;
Zhou, J.; Xie, S. Small 2005, 1, 1004.
(14) Vaddiraju, S.; Mohite, A.; Chin, A.; Meyyappan, M.;
Sumanasekera, G.; Alphenaar, B. W.; Sankara, M. K.
Nano Lett. 2005, 5, 1625.
(15) Yoshimoto, M.; Yamamoto, H.; Huang, W.; Harima, H.;
Saraie, J.; Chayahara, A.; Horino, Y. Appl. Phys.
Lett. 2003, 83, 3480.
(16) Bhuiyan, A. G.; Sugita, K.; Kasashima, K.; Hashimoto,
A.; Yamamoto, A.; Davydov, V. Y. Appl. Phys. Lett.
2003, 83, 4788.
CHAPTER 3 AN INTRODUCTION TO INDIUM OXIDE
(1) Hamberg, I.; Granqvist, C. G. J. Appl. Phys. 1986, 60,
123.
(2) Neri, G.; Bonavita, A.; Micali, G.; Rizzo, G.;
Galvogno, S.; Niederberger, M.; Pinna, N. Chem. Commun.
2005, 6032.
(3) Zhang, D.; Liu, Z.; Li, C.; Tang, T.; Liu, X.; Han, S.;
Lei, B.; Zhou, C. Nano. Lett. 2004, 4, 1919.
(4) Cao, H.; Qiu, Z.; Liang, Y.; Zhu, Q.; Zhao, M. Appl.
Phys. Lett. 2003, 83, 761.
(5) Seo, W. S.; Jo, H. H.; Lee, K.; Park, J. T. Adv. Mater.
2003, 15, 795.
(6) Liu, Q.; Lu, W.; Ma, A.; Tang, J.; Lin, J.; Fang, J. J.
Am. Chem. Soc. 2005, 127, 5276.
(7) Lee, C. H.; Kim, M.; Kim, T.; Kim, A.; Paek, J.; Lee,
J. W.; Choi, S. Y.; Kim, K.; Park, J. B.; Lee, K. J.
Am. Chem. Soc. 2006, 128, 9326.
(8) Liang, C.; Meng, G.; Lei, Y.; Phillipp, F.; Zhang, L.
Adv. Mater. 2001, 13, 1330.
(9) Murali, A.; Barve, A.; Leppert, V. J.; Risbud, S. H.;
Kennedy, I. M.; Lee, H. W. H. Nano. Lett. 2001, 1, 287.
(10) Zheng, M. J.; Zhang, L. D.; Li, G. H.; Zhang, X. Y.;
Wang, X. F. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 839.
(11) Kuo, C. Y.; Lu, S. Y.; Wei, T. Y. J. Cryst. Growth
2005, 285, 400.
(12) Yang, H.; Shi, Q.; Tian, B.; Lu, Q.; Gao, F.; Xie, S.;
Fan, J.; Yu, C.; Tu, B.; Zhao, D. J. Am. Chem. Soc.
2003, 125, 4724.
CHAPTER 4 FORMATION OF INDIUM OXIDE NANORODS BY USING MESOPOROUS SILICA TEMPLATE AND THEIR OPTICAL
(1) Hamberg, I.; Granqvist, C. G. J. Appl. Phys. 1986, 60,
123.
(2) Liu, Q.; Lu, W.; Ma, A.; Tang, J.; Lin, J.; Fang, J. J.
Am. Chem. Soc. 2005, 127, 5276.
(3) Lee, C. H.; Kim, M.; Kim, T.; Kim, A.; Paek, J.; Lee,
J. W.; Choi, S. Y.; Kim, K.; Park, J. B.; Lee, K. J.
Am. Chem. Soc. 2006, 128, 9326.
(4) Liang, C.; Meng, G.; Lei, Y.; Phillipp, F.; Zhang, L.
Adv. Mater. 2001, 13, 1330.
(5) Seo, W. S.; Jo, H. H.; Lee, K.; Park, J. T. Adv. Mater.
2003, 15, 795.
(6) Cao, H.; Qiu, Z.; Liang, Y.; Zhu, Q.; Zhao, M. Appl.
Phys. Lett. 2003, 83, 761.
(7) Bagnall, D. M.; Chen, Y. F.; Shen, M. Y.; Zhu, Z.;
Goto, T.; Yao, T. J. Cryst. Growth 1998, 184-185,
605.
(8) Bagnall, D. M.; Chen, Y. F.; Zhu, Z.; Yao, T.; Koyama,
S.; Shen, M. Y.; Goto, T. Appl. Phys. Lett. 1998, 73,
1038.
(9) Lee, M. S.; Choi, W. C.; Kim, E. K.; Min, S. D. K. Thin
Solid Films 1996, 279, 1.
(10) Zhou, H. J.; Cai, W. P.; Zhang, L. D. Appl. Phys.
Lett. 1999, 75, 495.
(11) Zhao, Y.; Zhang, Z.; Wu, Z.; Dang, H. Langmuir 2004,
20, 27.
(12) Yang, J.; Lin, C.; Wang, Z.; Lin, J. Inorg. Chem.
2006, 45, 8973.