研究生: |
梁育嘉 |
---|---|
論文名稱: |
在導電金屬層上成長垂直奈米碳管之研究 |
指導教授: | 黃國柱 |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
理學院 - 化學系 Department of Chemistry |
論文出版年: | 2004 |
畢業學年度: | 92 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 113 |
中文關鍵詞: | 垂直奈米碳管 |
相關次數: | 點閱:2 下載:0 |
分享至: |
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
摘要
在本篇論文中的第一部份,我們可以利用蒸鍍鐵的薄膜當作催化劑,在矽基板(silicon wafer)上順利的成長出垂直式奈米碳管,而且也可以藉由將催化劑圖案化,製備出任意圖案的垂直碳管,但是矽基板的導電度與金屬還是有相當程度的差異,因此我們在蒸鍍鐵薄膜前多鍍上一層鉬的導電金屬層,並試著在其上成長垂直奈米碳管,不過結果並不如預期般的理想,因此我們尋求另一個方式,在導電層上成長垂直奈米碳管。
在第二部分中,我們捨棄使用蒸鍍鐵當催化劑,並發展出一個全新的催化劑製備方式,目前文獻上還沒有任何報導使用此方式來製備催化劑成長垂直奈米碳管。我們利用鐵的鹽類(如,三氯化鐵)溶於高分子溶液中(如,PMMA或PVA)當作催化劑,以旋轉塗佈的方式塗佈在矽基板上,也可以順利的成長出垂直奈米碳管。若將此催化劑塗佈在已蒸鍍鉬導電金屬層的矽基板上時,結果也可順利的成長出垂直奈米碳管,這意味著這個方法將比使用蒸鍍鐵當催化劑有更廣的應用性,而且大幅的降低製程成本。
論文最後的部分是討論如何將垂直碳管有效的固定在基板上。我們比較了PMMA、PVA和PS三種固定垂直碳管的結果,發現適當的調控聚苯乙烯(PS)的濃度,可以得到最好的效果。
參考文獻
1. 李宗培,國立成功大學材料科學及工程學系碩士論文,第8頁,民國九十二年。
2. R. F. Service, Science 1998, 281, 940.
3. H. W. Kroto, J. R. Heath, S. C. O`Brien, R. F. Curl, and R. E. Smalley, Nature 1985, 318, 162.
4. P. J. F. Harris, Carbon Nanotubes and Related Structure, Cambridge
University Press: New York, 1999.
5. S. Iijima, Nature 1991, 354, 56.
6. S. Iijima, Physica B 2002, 323, 1.
7. T. W. Ebbesen, Annu. Rev. Mater. Sci. 1994, 24,235.
8. S. Iijima, T. Ichihashi, Y. Ando, Nature 1992, 356, 776.
9. T. Ichihashi, S. Iijima, Nature 1993, 363, 603.
10. D. S. Bethune, C. H. Kiang, M. S. Vries, G. Gorman, R. Savoy, J.
Vasquez, R. Beyers, Nature 1993, 363, 605.
11. T. Guo, P. Nikolaev, A. Thess, D. T. Colbert, R. E. Smalley, Chem.
Phys. Lett. 1995, 243, 49.
12. H. Ray, Baughman, A. Anvar, Zakhidov, Walt A. de Heer, Science 2002, 297, 787.
13. 徐逸明,國立成功大學化學工程研究所博士論文,第13頁,
民國九十年。
14. W. G. Wildoer, L. C. Venema, A. G. Rinzler, R. E. Smalley, C.
Dekker, Nature 1998, 391, 59.
15. T. Odom, J. Huang, P. Kim, C. Lieber, Nature 1998, 391, 62.
16. M. S. Dresselhaus, P. C. Eklund, Science of Fullerenes and Carbon
Nanotubes, Academic Press: San Diego, 1996.
17. M. Terrones, W. K. Hsu, H. W. Kroto, D. R. M. Walton, 1998,
Nanotube : A Revolution in Materials Science, Topics in Current
Chemistry 199 ,p. 1
18. 李元堯,奈米學程教材,國立中正大學,民國九十二年。
19. M. P. Campbell, C. J. Brabec, J. Bernholc, Comput. Mater. Sci. 1997, 8, 341.
20. Sishen Xie, J. Phys. Chem. Solid 2000, pp.1153∼1158.
21. M. Buongiorno Nardelli, B. I. Yakobson, J. Bernholc, Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 4656.
22. B. I. Yakobson, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 918.
23. P. Zhang, P. E. Lammert, V. H. Crespi, Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 5346.
24. M. Buongiorno Nardelli, B. I. Yakobson, J. Berhholc, Phys. Rev. B, 1998, 57, R4277.
25. 鄭凱文,國立東華大學材料科學與工程研究所碩士論文,第8頁,民國九十一年。
26. A. M. Rao, D. Jacques, R. C. Haddon, W. Zhu, C. Bower, S. Jin, ,
Applied Physics Letters, 2000, 76, pp.3813-3815.
27. O. Groning, O. M. Kuttel, C. H. Emmenegger, P. Groning, L. Sch-
lapbach, Journal of Vacuum Science&Technology B, 2000, 18, 665.
28. R. S. Ruoff and D. C. Lorents, Carbon, 1995, 33, 925.
29. W. Yi, L. Lu, D-L Zhang, Z. W. Pan, and S. S. Xie, Phys. Rev. B, 1999, 59, R9015.
30. J. Hone, M. C. Llaguno, N. M. Nemes, A. Johnson, J. E. Fischer, D. A. Walters, M. J. Casavant, J. Schmidt, and R. E. Smalley, Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 666.
31. Berber, Y. K. Kwon, and D. Tomanek, Phys. Rev. Lett., 2000, 84, 4613.
32. M. A. Osman and D. Srivastava, Nanotechnology, 2001, 12, 21.
33. N. Krishnankutty, C. Park, N. M. Rodriguez, R. T. K. Baker, Catalysis Today, 1997, 37, 295.
34.台灣奈米科技,工業技術研究院奈米研究中心,第86頁。
35. I. Brodie, C. A. Spindt, Adv. Electron. Electron Phys., 1992, 83, 1.
36. W. Zhu, G. P. Kochanski, S. Jin, L. Seibles, J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, 14, 2011.
37. N. Kumar, H. K. Schmidt, C. Xie, Solid State Technol., 1995, 38, 71.
38. W. Zhu, G. P. Kochanski, S. Jin, Science, 1998, 282, 1471.
39. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, H. Dai, Science, 1999, 283, 822.
40. Y. Zhang, H. Dai, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3015.
41. Y. Zhang, N. W. Franklin, R. J. Chen, H. Dai, Chem. Phys. Lett. 2000, 331, 35.
42. S. C. Kung, K. C. Hwang, I. N. Lin, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 4819.
43. Chin Li Cheung, C. M. Lieber, Nature, 1998, 394, 52.
44. M. Yumura, S. Ohshima, K. Uchida, Y. Tasaka, Y. Kuriki, F. Ikazaki,
Y. Saito, and S. Uemura, Diamond and Related Materials, 1999, 8, 785.
45. Takayuki Arie, Hidehiro Nishijima, Seiji Akita, Yoshikazu Nakayama, J. Vac. Sci. Technol. B, 2000, 18, 104.
46. Seiji Akita, Hidehiro Nishijima, Yoshikazu Nakayama, Fuyuki Tokumasu, Kunio Takeyasu, J. Phys. D: Appl. Phys. , 1999, 32 , 1044.
47. E. B. Cooper, S. R. Manalis, H. Fang, H. Dai, K. Matsumoto, S. C. Minne, T. Hunt, C. F. Quate, Appl. Phys. Lett. , 1999, 75, 29.
48. V. Barwich, M. Bammerlin, A. Baratoff, R. Bennewitz, M.Guggisberg
C. Loppacher, O. Pfeiffer, E. Meyer, H. J. Guntherodt, J. P. Salvetat,
J. M. Bonard, L. Forro, Applied Surface Science, 2000, 157, 269.
49. M. Ishikawa, M. Yoshimura, K. Ueda, Physica B, 2002, 323, 184.
50. J. H. Hafner, C. L. Cheung, C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 9750.
51. Y. Nakayama, H. Nishijima, S. Akita, J. Vac. Sci. Technol. B, 2000, 18, 661.
52. Y. Nakayama, Ultramicroscopy, 2002, 91, 49.
53. B. Vigolo, A. Penicaud, C. Coulon, C. Sauder, R. Pailler, C. Journet,
P. Bernier, P. Poulin, Science, 2000, 290, 1331.
54. The web site of Hyperion Catalysis Intermational Inc., is available at
www.fibrils.com
55. M. J. Biercuk, M. C. Llaguno, M. Radosavljevic, J. K. Hyun, A. T. Johnson, J. E. Fischer, Appl. Phys. Lett., 2002, 80, 2767.
56. D. Qian, E. C. Dickey, R. Andrews, T. Rantell, Appl. Phys. Lett., 2000, 76, 2868.
57. G. L. Hwang, Y. T. Shieh, K. C. Hwang, Adv. Funct. Materials, 2004,
14, 487.
58. B, Gao, A, Kleinhammes, X. P. Tang, C. Bower, L. Fleming, Y. Wu, O. Zhou, Chem. Phys. Lett., 1999, 307, 153.
59. M. S. Dresselhaus, K. A. Williams, P. C. Eklund, Mater. Res. Soc. Bull., 2000, 24, 45.
60. G. G. Tibbetts, G. P. Meisner, C. H. Olk, Carbon, 2001, 39, 2291.
61. M. Hirscher, M. Becher, M. Haluska, A. Quintel, V. Skakalova, Y. M. Choi, , U. D. Weglikowska, J. Alloys Compounds, 2002, 654, 330.
62. C. Zandonella, Nature, 2001, 410, 734.
63. Y. Ye, C. C. Ahn, C. Witham, B. Fultz, J. Liu, A. G. Rinzler, D. Colbert, K. A. Smith, R. E. Smalley, Appl. Phys. Lett., 1999, 74, 2307.
64. Y. Chen, D. T. Shaw, X. D. Bai, E. G. Wang, C. Lund, W. M. Lu, D. L. Chung, Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 2128.
65. A. C. Dollon, M. J. Heben, Appl. Phys. A, 2001, 72, 133.
66. E. Frackowiak, K. Jurewicz, S. Delpeux, F. Beguin, J. Power Sources, 2001, 97-98, 822.
67. S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, C. Dekker, Nature, 1998, 393, 49.
68. Shea, H.R., Martel, R., Hertel, T., Schmidt, T., Avouris, Ph., Microelectronic Engineering, 1999, 46, 102.
69. 李元堯,21 世紀的尖端材料- 奈米碳管-化工技術,第120期,第140∼159 頁,民國九十二年
70. Kin-Tak Lau, David Hui, Composites : Part B, 2002, 33, 263.
71. 施漢章, 奈米碳管之現狀與展望, 興大工程學刊, 第13期, No. 1, 第1-19頁, 2002.
72. 黃建良, “ 新世代的材料-奈米碳管”, 觸媒與製程, 第7期, No.3,第17-25頁, 1999.
73. P. G. Wiles et al., Carbon, 1992, 16, 341.
74. Y. Saito, T. Yoshikawa, M. Inagaki, Chem. Phys. Lett., 1993, 204,
277.
75. 高英哲,電弧電漿法製備碳微管暨水溶性碳微管之製備及應用,清華大學碩士論文,2001.
76. E. G. Garnaly, T. W. Ebbesen, Phys. Rev. B, 1995, 52, 2083.
77. T. W. Ebbesen, P. M. Ajayan, Nature, 1992, 358, 220.
78. T. Guo, P. Nikolaev, A. Thess, D. T. Colbert, R. E. Smalley, Chem. Phys. Lett., 1995, 243, 49.
79. www.ee.virginia.edu/~cmf6p/research_docs/nanotubes.ppt (2004)
80. W. Z. Li et al., Appl Phys A-MATER, 2002, 74, 397.
81. Sen Rahul, Govindaraj A., Rao C.N.R., Chem. Phys. Lett., 1997, 267, 276.
82. J. M. Mao, L. F. Sun, L. X. Qian, Z. W. Pan, B. H. Chang, W. Y. Zhou, G. Wang, S. S. Xie, Appl. Phys. Lett., 1998, 72, 3297.
83. Y. J. Yoon, J. C. Bae, H. K. Baik, S. J. Cho, S. J. Lee, K. M. Song, Physics B, 2002, 323, 318.
84. Y. Chen, L. W. Zhong, S. Y. Jin, D. J. Johnson, R. H. Prince, Chem. Phys. Lett., 1997, 272, 178.
85. H. R. Shea, R. Martel, T. Hertel, T. Schmidt, P. H. Avouris, Microelectronic Engineering, 1999, 46, 102.
86. F. Kreupl, A. P. Graham, G. S. Duesberg, W. Steinhögl, M. Liebau, E. Unger, W. Hönlein, Microelectronic Engineering, 2002, 64, 399.
87. W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian, B. H. Chang, B. S. Zou, W. Y. Zhou,
R. A. Zhao, G. Wang, Science, 1996, 274, 1701.
88. Y. C. Sui, D. R. Acosta, J. A. Gonzalez-Leon, A. Bermudez, J. Feuchtwanger, B. Z. Cui, J. O. Flores, J. M. Saniger, J. Phys. Chem. B, 2001, 105, 1523.
89. J. S. Lee, G. H. Gu, H. Kim, Chem. Mater., 2001, 13, 2387.
90. S. H. Jeong, H. Y. Hwang, K. H. Lee, Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 2052
91. C. W. Wang, M. K. Li, H. L. Li, Sci. China Ser. A, 2001, 44, 234.
92. Z. F. Ren, Z. P. Huang, J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegal,
P. N. Provencio, Science, 1998, 282, 1105.
93. C. J. Lee, J. Park, J. A. Yu, Chem. Phys. Lett., 2002, 360, 250.
94. H. L. Young, G. K. Seong, T. David, Phys. Rev. Lett., 1997, 78, 2393
95. J. L. Chen, Y. D. Li, Y. M. Ma, Y. N. Qin, C. Liu, Carbon, 2001, 39, 1467.
96. C. Bower, O. Zhou, W. Zhu, D. J. Werder, S. H. Jin, Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 2767.
97. C. J. Lee, J. H. Park, Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 3397.
98. J. W. Jang, C. E. Lee, Appl. Phys. Lett., 2004, 84, 2877