本文利用水平元件量測共軛高分子電洞遷移率，水平元件的製作主要是利用黃光微影的技術在玻璃上製作水平電極，我們將水平量測的結果以空間電荷限制電流模型 ( SCLC ) 去分析，實驗發現在固定電場下，水平的電洞遷移率比垂直結構大三個數量級，且發現隨著時間增加，電洞遷移率也跟著增加，此外高溫可加速此現象，藉由光激發光譜可以清楚的瞭解使電洞遷移率增加原因，其主要的原因為藉由旋轉塗怖的離心力對集聚體規則的排列。本論文對水平元件的研究，對於共軛高分子電晶體元件，提供參考的價值。
在製程上我們做了一些變動，如：溶劑、濃度、轉速、配置的時間以及溫度等，發覺其有共同特性，當薄膜所產生的集聚體越多時，其遷移率也就相對的提高，就製程條件的不同而有以下結果 ︰ ( 1 ) 就溶劑而言︰我們使用了氯仿 ( Chloroform ) 及甲苯 ( Toluene ) ，發現用甲苯所配置的溶液有較多的集聚體，同時其電洞遷移率也較高。 ( 2 ) 使用氯仿與甲苯泡製不同濃度(0.38%、0.1%)溶液︰發現在高濃度的溶液中，較容易產生集聚體(aggregate) ，其電洞遷移率也較高。 ( 3 ) 就時間因素來說︰本實驗發現當溶液泡好時，集聚體現象並非非常明顯，但隨著時間的增加，集聚體現象也益加明顯。 ( 4 ) 就泡製的溫度而言︰發現高溫時較容易產生集聚體，而低溫卻會抑制集聚體的發生。 ( 5 ) 就轉速的條件來說︰本研究發現轉速越高越容易破壞集聚體，而使得肩帶與主峰的比例而有所改變，雖然離心力會破壞集聚體的形成，但是離心力又是使集聚體規則性排列的重要條件，所以適當的轉速對於提升遷移率是必要。

Horizontal devices with photolithographically defined electrodes on glass are used in the research to measure the hole mobility in conjugated polymer. We fit the measured result with space charge limited current model. It is found that for a fixed electric field the horizontal mobility is about three orders of magnitude larger than the vertical mobility. The horizontal mobility increases with the aging of the conjugated polymer solution. High temperature treatment accelerates aging. Photo- luminescence study reveals that enhancement in horizontal mobility is a result of the alignment of aggregates by the centrifugal force of the spin. Our results may be useful to improve the polymer thin film transistor.

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