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| 研究生： |
賴冠廷 Lai, Guan-Ting |
|---|---|
| 論文名稱： |
利用氮化鋁鈦作為鎢金屬閘極之阻擋層以改善先進製程之MOS電容 Improved Tungsten Metal Gate Characteristics by TiAlN as Barrier Layer for Advanced VLSI Process |
| 指導教授： |
巫勇賢
Wu, Yung-Hsien |
| 口試委員: |
吳永俊
Wu, Yung-Chun 唐英瓚 Tang, Ying-Tsang |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
| 論文出版年： | 2021 |
| 畢業學年度： | 109 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 64 |
| 相關次數： | 點閱：2 下載：0 |
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全文公開日期 2026/08/02 (校內網路)全文公開日期 2026/08/02 (校外網路)