氮化鈦薄膜具有許多優良的性質，常被用來作為積體電路中的擴散障礙層，本實驗控制製程條件，在矽基板上濺鍍磊晶的氮化鈦薄膜，以提高可靠度。
本實驗以反應式濺鍍法沈積氮化鈦薄膜，利用場發射電鏡及加裝的能量損失譜分析儀，分析氮化鈦薄膜的結構及成分，得到以下幾點結果。

氮化鈦薄膜呈柱狀結構，晶界沒有微裂縫，是高密度的緻密結構，與基板間有特定的磊晶關係，對(100)矽基板指向，有

a.TiN[011]//Si[011] TiN(200)//Si(100)；

b.TiN[001]//Si[011] TiN(020)//Si(022)；

二種磊晶關係，對(111)矽基板指向只有一組方向性關係：

TiN[110]//Si[110] TiN(111)//Si(111)。

由繞射弧分佈角隨著基板偏壓升高而減小，可知基板偏壓提高對磊晶關係有利，提高基板溫度也有利於磊晶方向晶粒的成長，由高分辨影像觀察界面晶粒分佈情形，(100)基板指向界面晶粒混亂，但距離界面幾百埃以後，都是磊晶關係的晶粒，顯示這些晶粒有優選成長的趨勢，(111)指向界面呈完美磊晶關係，形成4Si-5TiN的半契合界面。利用EELS定量分析的結果，氮化鈦薄膜化學計量比接近1:1。在氮化鈦上上一層鋁金屬以測試阻障的效果，550℃退火1小時後，沒有尖峰現象或界面反應產生，表示氮化鈦薄膜發揮良好的擴散障礙層的功用，阻止鋁矽彼此擴散，且本身緻密、低角度晶界穩定結構，也使界面反應不容易發生。