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研究生: 張志亘
Chang, Chih-Hsuan
論文名稱: 掘入式歐姆接觸指叉結構p型氮化鎵大電流高電子遷移率電晶體於碳化矽基板之研製
Fabrication of E-Mode High Current p-GaN HEMT Devices with Ohmic Recess and Multi-finger Structure on SiC substrate
指導教授: 吳孟奇
Wu, Meng-Chyi
口試委員: 王郁琦
Wang, Yu-Chi
蘇炎坤
Su, Yan-Kuen
王永和
Wang, Yung-He
羅文雄
Luo, Wen-Shiung
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 電機資訊學院 - 電子工程研究所
Institute of Electronics Engineering
論文出版年: 2024
畢業學年度: 112
語文別: 中文
論文頁數: 91
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