研究生: |
張志亘 Chang, Chih-Hsuan |
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論文名稱: |
掘入式歐姆接觸指叉結構p型氮化鎵大電流高電子遷移率電晶體於碳化矽基板之研製 Fabrication of E-Mode High Current p-GaN HEMT Devices with Ohmic Recess and Multi-finger Structure on SiC substrate |
指導教授: |
吳孟奇
Wu, Meng-Chyi |
口試委員: |
王郁琦
Wang, Yu-Chi 蘇炎坤 Su, Yan-Kuen 王永和 Wang, Yung-He 羅文雄 Luo, Wen-Shiung |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
電機資訊學院 - 電子工程研究所 Institute of Electronics Engineering |
論文出版年: | 2024 |
畢業學年度: | 112 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 91 |
相關次數: | 點閱:2 下載:0 |
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