利用模版合成法製備之中孔洞二氧化矽分子篩具有下列特性：孔
徑分佈範圍窄，孔徑大小具可調性，高孔洞體積及非常大的表面積，
且其表面有很多具活性的silanol group(Si-OH)，可以被用來進行修飾
以填入各種不同的材料進入孔洞中，因此中孔洞二氧化矽分子篩很適
合當作金屬、半導體或其他物質的擔體，應用在吸附、觸媒、光電與
半導體方面。另外，中孔洞二氧化矽分子篩可以製備成薄膜形態，本
身具有很大且可調的孔隙度，因此很適合用來作為低介電常數材料以
及抗反射材料。
基於中孔洞二氧化矽分子篩的應用與發展潛力與其孔洞性質有
關，因此中孔洞二氧化矽的孔洞性質鑑定是本論文的探討主題。本論
文研究目的即是建立量測中孔洞二氧化矽分子篩之孔徑分佈的方
法，利用Henry’s law 改良DBdB 方法中描述多層吸附厚度的方程式，
利用此方法(Henry-DBdB)分析中孔洞二氧化矽粉體樣品的氮氣吸附
數據。另外利用氪氣吸附分析一系列薄膜樣品，研究利用不同模版分
子、不同去除模版分子的處理方法，以及塗佈在不同基材上等實驗條
件對於薄膜孔洞結構的影響。由於DBdB 理論涉及吸附氣體在孔洞內
的狀態，不易用來分析氪氣吸附數據，因此我們合成一系列孔洞直徑
在2-9 nm 之間的中孔洞二氧化矽粉體樣品，進行氮氣與氪氣吸附實
驗，並用Henry-DBdB 理論分析測得粉體樣品的孔徑值，以建立氪氣
吸附等溫線中的壓力反曲點與樣品孔徑的關係，作為分析薄膜孔徑的
方法，此外分析氪氣吸附數據可以得到薄膜結構參數。另外，我們利
用一氧化碳化學吸附實驗搭配氮氣吸附實驗探討金屬填入中孔洞二
氧化矽粉體孔道中的情形。
利用改良過的Henry-DBdB 方法，分析中孔洞二氧化矽粉體樣品
的孔徑測量值與NLDFT 所計算的結果相近，證明以古典熱力學為基
礎的DBdB 孔徑分析適合用來分析孔洞樣品的孔徑分佈。
利用氪氣吸附實驗以及X 光反射實驗得到的結果，可以分析薄膜
樣品的孔洞結構性質。分別利用臭氧處理以及□燒處理除去有機模
版，並討論兩種處理方法對孔洞結構的影響。另外我們也想探討薄膜
基材對薄膜結構的影響。
另外，分別利用酒精與水當作鉑金屬前軀物的溶劑，在孔道內合
成奈米金屬，從氮氣吸附數據搭配一氧化碳化學吸附與ICP-AES 實
驗討論奈米金屬堵塞孔道的情形，結果與穿透式電子顯微鏡照片所觀
察到的結果趨勢相同。

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