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研究生: 林仕鎧
Lin, Shih-Kai
論文名稱: 先進記憶體元件與氮化鎵高電子遷移率電晶體之物理機制研究
Study on Physical Mechanism of Advanced Memory Device and GaN High Electron Mobility Transistor
指導教授: 連振炘
Lien, Chen-Hsin
張鼎張
Chang, Ting-Chang
口試委員: 徐碩鴻
Hsu, Shuo-Hung
莊文献
Chuang, Wen-Hsien
褚立新
Chu, Li-Hsin
學位類別: 博士
Doctor
系所名稱: 電機資訊學院 - 電子工程研究所
Institute of Electronics Engineering
論文出版年: 2024
畢業學年度: 112
語文別: 英文
論文頁數: 109
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  • 無法下載圖示 全文公開日期 2027/01/22 (校內網路)
    全文公開日期 2027/01/22 (校外網路)

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